Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""SILICON carbide"" wg kryterium: Temat


Starter badań:

Tytuł :
Characterization of carrier behavior in photonically excited 6H silicon carbide exhibiting fast, high voltage, bulk transconductance properties.
Autorzy :
Sampayan, S. E.
Grivickas, P. V.
Conway, A. M.
Sampayan, K. C.
Booker, I.
Bora, M.
Caporaso, G. J.
Grivickas, V.
Nguyen, H. T.
Redeckas, K.
Schoner, A.
Voss, L. F.
Vengris, M.
Wang, L.
Pokaż więcej
Źródło :
Scientific Reports. 3/25/2021, Vol. 11 Issue 1, p1-11. 11p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Изучение химического состава рафинировочных шлаков кремниевого производства для поиска путей их рациональной переработки.
Autorzy :
Немчинова, Н. В.
Хоанг, В. В.
Апончук, И. И.
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
Research into the chemical composition of refinery slag from silicon production for its efficient recycling.
Źródło :
Bulletin of Irkutsk State Technical University / Vestnik of Irkutsk State Technical University. 2021, Vol. 25 Issue 2, p252-263. 12p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ КАРБИДОКРЕМНИЕВОГО ПОКРЫТИЯ ДИФФУЗИОННЫМ МЕТОДОМ В КРЕМНИЕВОЙ ЗАСЫПКЕ НА УГЛЕРОД-УГЛЕРОДНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛАХ.
Autorzy :
Надольский, Д. С.
Докучаев, А. Г.
Медведева, Н. А.
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
MECHANISM OF FORMATION OF SILICON CARBIDE COATING THROUGH THE PACK CEMENTATION PROCESS ON CARBON-CARBON COMPOSITE MATERIALS.
Źródło :
Bulletin of Perm University. Series Chemistry / Vestnik Permskogo Universiteta. Seria Himia. 2020, Issue 4, p385-401. 17p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies