Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""SILICON crystals"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Influence of uniaxial stress on phonon-assisted relaxation in bismuth-doped silicon.
Autorzy :
Zhukavin, R. Kh. (AUTHOR)
Pavlov, S. G. (AUTHOR)
Stavrias, N. (AUTHOR)
Saeedi, K. (AUTHOR)
Kovalevsky, K. A. (AUTHOR)
Phillips, P. J. (AUTHOR)
Tsyplenkov, V. V. (AUTHOR)
Abrosimov, N. V. (AUTHOR)
Riemann, H. (AUTHOR)
Deβmann, N. (AUTHOR)
Hübers, H.-W. (AUTHOR)
Shastin, V. N. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 1/21/2020, Vol. 127 Issue 3, p1-8. 8p. 1 Diagram, 6 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Angular asymmetry of the nuclear interaction probability of high energy particles in short bent crystals.
Autorzy :
Scandale, W. (AUTHOR)
Cerutti, F. (AUTHOR)
Esposito, L. S. (AUTHOR)
Garattini, M. (AUTHOR)
Gilardoni, S. (AUTHOR)
Natochii, A. (AUTHOR)
Rossi, R. (AUTHOR)
Smirnov, G. I. (AUTHOR)
Zhovkovska, V. (AUTHOR)
Galluccio, F. (AUTHOR)
Addesa, F. (AUTHOR)
Iacoangeli, F. (AUTHOR)
Kovalenko, A. D. (AUTHOR)
Taratin, A. M. (AUTHOR)
Gavrikov, Yu. A. (AUTHOR)
Ivanov, Yu. M. (AUTHOR)
Koznov, M. A. (AUTHOR)
Malkov, M. V. (AUTHOR)
Malyarenko, L. G. (AUTHOR)
Mamunct, I. G. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
European Physical Journal C -- Particles & Fields. Jan2020, Vol. 80 Issue 1, p1-5. 5p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Beam steering performance of bent silicon crystals irradiated with high-intensity and high-energy protons.
Autorzy :
Scandale, W. (AUTHOR)
Calviani, M. (AUTHOR)
D'Andrea, M. (AUTHOR)
Esposito, L. S. (AUTHOR)
Garattini, M. (AUTHOR)
Gilardoni, S. (AUTHOR)
Montesano, S. (AUTHOR)
Natochii, A. (AUTHOR)
Rossi, R. (AUTHOR)
Smirnov, G. I. (AUTHOR)
Martin, C. L. Torregrosa (AUTHOR)
Zhovkovska, V. (AUTHOR)
Bagli, E. (AUTHOR)
Bandiera, L. (AUTHOR)
Guidi, V. (AUTHOR)
Mazzolari, A. (AUTHOR)
Romagnoni, M. (AUTHOR)
Murtas, F. (AUTHOR)
Galluccio, F. (AUTHOR)
Addesa, F. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
European Physical Journal C -- Particles & Fields. Nov2019, Vol. 79 Issue 11, p1-5. 5p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
ВПЛИВ ГЛИБИНИ МАКРОПОР НА ЕФЕКТИВНИЙ ЧАС ЖИТТЯ НЕОСНОВНИХ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В МАКРОПОРИСТОМУ КРЕМНІЇ
Alternatywny tytuł :
Влияние глубины макропор на эффективное время жизни неосновных носителей заряда в макропористом кремнии
Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon.
Autorzy :
Онищенко, В. Ф.
Карачевцева, Л. А.
Pokaż więcej
Źródło :
Chemistry, Physics & Technology of Surface / Khimiya, Fizyka ta Tekhnologiya Poverhni. 2019, Vol. 10 Issue 3, p294-301. 8p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Dislocation-controlled microscopic mechanical phenomena in single crystal silicon under bending stress at room temperature.
Autorzy :
Yamaguchi, Hiroshi (AUTHOR)
Tatami, Junichi (AUTHOR)
Yahagi, Tsukaho (AUTHOR)
Nakano, Hiromi (AUTHOR)
Iijima, Motoyuki (AUTHOR)
Takahashi, Takuma (AUTHOR)
Kondo, Toshiyuki (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Materials Science. Jun2020, Vol. 55 Issue 17, p7359-7372. 14p. 2 Color Photographs, 3 Black and White Photographs, 1 Chart, 5 Graphs.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies