Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""SILICON crystals"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon.
Autorzy :
Ismailov, K. A.
Iliev, X. M.
Tursunov, M. O.
Ismaylov, B. K.
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
Формування комплексів домішкових атомів Mn з елементами VI групи в кристалічній решітці кремнію
Źródło :
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24 Issue 3, p255-260. 6p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Investigation on radiation generated by sub-GeV electrons in ultrashort silicon and germanium bent crystals.
Autorzy :
Bandiera, L. (AUTHOR)
Sytov, A. (AUTHOR)
De Salvador, D. (AUTHOR)
Mazzolari, A. (AUTHOR)
Bagli, E. (AUTHOR)
Camattari, R. (AUTHOR)
Carturan, S. (AUTHOR)
Durighello, C. (AUTHOR)
Germogli, G. (AUTHOR)
Guidi, V. (AUTHOR)
Klag, P. (AUTHOR)
Lauth, W. (AUTHOR)
Maggioni, G. (AUTHOR)
Mascagna, V. (AUTHOR)
Prest, M. (AUTHOR)
Romagnoni, M. (AUTHOR)
Soldani, M. (AUTHOR)
Tikhomirov, V. V. (AUTHOR)
Vallazza, E. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
European Physical Journal C -- Particles & Fields. Apr2021, Vol. 81 Issue 4, p1-9. 9p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
非晶 SiO2&团簇与单晶硅基底微观 接触的分子动力学模拟.
Autorzy :
陈爱莲
隆界龙
陈 杨
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
Molecular Dynamics Simulation on Microscopic Contact of Amorphous SiO2 Clusters with Single Crystalline Silicon Substrate.
Źródło :
Journal of Changzhou University (Natural Science Edition) / Changzhou Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban). 2020, Vol. 32 Issue 5, p1-7. 7p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Frequency Tuning of Terahertz Stimulated Emission under the Intracenter Optical Excitation of Uniaxially Stressed Si:Bi.
Autorzy :
Zhukavin, R. Kh. (AUTHOR)
Kovalevsky, K. A. (AUTHOR)
Pavlov, S. G. (AUTHOR)
Deßmann, N. (AUTHOR)
Pohl, A. (AUTHOR)
Tsyplenkov, V. V. (AUTHOR)
Abrosimov, N. V. (AUTHOR)
Riemann, H. (AUTHOR)
Hübers, H.-W. (AUTHOR)
Shastin, V. N. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Semiconductors. Aug2020, Vol. 54 Issue 8, p969-974. 6p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies