Temat: "SINGLE electron transistors" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A Novel Slice-Based High-Performance ALU Design Using Prospective Single Electron Transistor.
Autorzy:: Patel, Rashmit (AUTHOR)
Agrawal, Yash (AUTHOR)
Parekh, Rutu (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: IETE Journal of Research. Mar/Apr2022, Vol. 68 Issue 2, p1115-1124. 10p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Noise Performance and Thermalization of a Single Electron Transistor using Quantum Fluids.
Autorzy:: Beysengulov, N. R. (AUTHOR)
Lane, J. R. (AUTHOR)
Kitzman, J. M. (AUTHOR)
Nasyedkin, K. (AUTHOR)
Rees, D. G. (AUTHOR)
Pollanen, J. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Low Temperature Physics. Nov2021, Vol. 205 Issue 3/4, p143-154. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: A Perspective View of Silicon Based Classical to Non-Classical MOS Transistors and their Extension in Machine Learning
Autorzy:: Singh, Abhay Pratap
Mishra, Vimal KumarAff1, IDs12633023025410_cor2
Akhter, Shamim; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 15(16):6763-6784

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Mechanical Resonator Linearly Coupled to a Normal State Single Electron Transistor and Electron Transport in Mescoscopic Conductor.
Autorzy:: Amar, Anuradha
Aparajita
Singh, Bipin Kumar; Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of Pure & Applied Sciences-Physics. Jul-Dec2021, Vol. 40D Issue 2, p83-87. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Measuring of an unknown voltage by using single electron transistor based voltmeter.
Autorzy:: Biswas, A. K.; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: Вимірювання невідомої напруги за допомогою вольтметра на основі одноелектронного транзистора
Źródło:: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24 Issue 3, p277-287. 11p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Intel releases Tunnel Falls quantum chip to R&D partners.
Źródło:: ATM / Gigabit. Jun2023, Vol. 34 Issue 6, p10-11. 2p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Intel releases Tunnel Falls quantum chip to R&D partners.
Źródło:: ATM / Gigabit. Jun2023, Vol. 34 Issue 6, p8-9. 2p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Radio-frequency single electron transistors in physically defined silicon quantum dots with a sensitive phase response.
Autorzy:: Mizokuchi, Raisei
Bugu, Sinan
Hirayama, Masaru
Yoneda, Jun
Kodera, Tetsuo; Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 3/12/2021, Vol. 11 Issue 1, p1-7. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Single Electron Transistors as Position Detectors for Nano-Electomechanical Systems.
Autorzy:: Amar, Anuradha
Singh, Bipin Kumar; Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of Pure & Applied Sciences-Physics. Jan-Jun2021, Vol. 40D Issue 1, p63-68. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Editorial for Special Issue "Functional Graphene-Based Nanodevices".
Autorzy:: Cheng, Qijin
Zhou, Jian; Pokaż więcej
Temat:: CARBON electrodes
PLASMA-enhanced chemical vapor deposition
SINGLE electron transistors
QUANTUM Hall effect
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991); Mar2024, Vol. 14 Issue 5, p417, 3p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: ONE SYK SINGLE ELECTRON TRANSISTOR.
Autorzy:: Khveshchenko, D. V.; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: VADINAMASIS SYK VIENO ELEKTRONO TRANZISTORIUS.
Źródło:: Lithuanian Journal of Physics. 2020, Vol. 60 Issue 3, p185-193. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Interplay between Mutual Capacitive Coupling and Tunneling in Silicon Single Electron Transistor Coupled to Dopant Atom.
Autorzy:: Alam, Md. Naushad
Aparajita; Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of Pure & Applied Sciences-Physics. Jan-Jun2020, Vol. 39D Issue 1, p39-44. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Oxidizable Ketones: Persistent Radical Cations from the Single‐Electron Oxidation of 2,3‐Diaminocyclopropenones.
Autorzy:: Strater, Zack M.
Rauch, Michael
Jockusch, Steffen
Lambert, Tristan H.; Pokaż więcej
Źródło:: Angewandte Chemie. 6/11/2019, Vol. 131 Issue 24, p8133-8136. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Variable-Barrier Quantum Coulomb Blockade Effect in Nanoscale Transistors.
Autorzy:: Yadav, Pooja (AUTHOR)
Chakraborty, Soumya (AUTHOR)
Moraru, Daniel (AUTHOR)
Samanta, Arup (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991). Dec2022, Vol. 12 Issue 24, p4437. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Spin skyrmion gaps as signatures of strong-coupling insulators in magic-angle twisted bilayer graphene.
Autorzy:: Yu, Jiachen
Foutty, Benjamin A.
Kwan, Yves H.
Barber, Mark E.
Watanabe, Kenji
Taniguchi, Takashi
Shen, Zhi-Xun
Parameswaran, Siddharth A.
Feldman, Benjamin E.; Pokaż więcej
Temat:: SINGLE electron transistors
SKYRMIONS
GRAPHENE
CHEMICAL potential
SUBSTANCE abuse
SPIN excitations
Źródło:: Nature Communications; 10/21/2023, Vol. 14 Issue 1, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Enzymatic single-electron reduction and aerobic cytotoxicity of tirapazamine and its 1-oxide and nor-oxide metabolites.
Autorzy:: Šarlauskas, Jonas
Nemeikaitė-Čėnienė, Aušra
Marozienė, Audronė
Misevičienė, Lina
Lesanavičius, Mindaugas
Čėnas, Narimantas; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: TIRAPAZAMINO IR JO 1-OKSIDO BEI NOROKSIDO METABOLITŲ VIENELEKTRONINĖ FERMENTINĖ REDUKCIJA IR JŲ AEROBINIS CITOTOKSIŠKUMAS.
Źródło:: Chemija. 2018, Vol. 29 Issue 4, p273-280. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: High-Precision Displacement Sensing of Monolithic Piezoelectric Disk Resonators Using a Single-Electron Transistor.
Autorzy:: Li, J.
Santos, J. T.
Sillanpää, M. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Low Temperature Physics. Jun2018, Vol. 191 Issue 5/6, p316-329. 14p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Single electron transistor: Energy-level broadening effect and thermionic contribution.
Autorzy:: Nasri, A.
Boubaker, A.
Khaldi, W.
Hafsi, B.
Kalboussi, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Dec2017, Vol. 51 Issue 12, p1656-1660. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: SINGLE ELECTRON TRANSISTOR REALISED BY SUSPENDED CARBON NANOTUBE.
Autorzy:: Giri, Ashutosh Kumar
Kumar, Pankaj
Singh, Pramendra Ranjan; Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of Pure & Applied Sciences-Physics. Jul-Dec2017, Vol. 36 Issue 2, p136-140. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Analysis of flip flop design using nanoelectronic single electron transistor.
Autorzy:: Rajasekaran, S.
Sundari, G.; Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Nanoelectronics & Materials. 2017, Vol. 10 Issue 1, p21-28. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""SINGLE electron transistors"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji