Temat: "STRAY currents" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates.
Autorzy:: Hamachi, Takeaki (AUTHOR)
Tohei, Tetsuya (AUTHOR)
Hayashi, Yusuke (AUTHOR)
Imanishi, Masayuki (AUTHOR)
Usami, Shigeyoshi (AUTHOR)
Mori, Yusuke (AUTHOR)
Sakai, Akira (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 2/10/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-14. 14p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Reverse Blocking Enhancement‐Mode AlGaN/GaN HEMTs with Hybrid p‐GaN Ohmic Drain on the Si Substrates.
Autorzy:: Zhao, Yaopeng (AUTHOR)
Ren, Dong (AUTHOR)
Luo, Pan (AUTHOR)
Wang, Chong (AUTHOR)
Yang, Lei (AUTHOR)
Wen, Haibing (AUTHOR)
Liu, Kai (AUTHOR)
Li, Ang (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Feb2024, Vol. 221 Issue 4, p1-7. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Identification of type of threading dislocation causing reverse leakage in GaN p–n junctions after continuous forward current stress.
Autorzy:: Narita, Tetsuo (AUTHOR)
Kanechika, Masakazu (AUTHOR)
Kojima, Jun (AUTHOR)
Watanabe, Hiroki (AUTHOR)
Kondo, Takeshi (AUTHOR)
Uesugi, Tsutomu (AUTHOR)
Yamaguchi, Satoshi (AUTHOR)
Kimoto, Yasuji (AUTHOR)
Tomita, Kazuyoshi (AUTHOR)
Nagasato, Yoshitaka (AUTHOR)
Ikeda, Satoshi (AUTHOR)
Kosaki, Masayoshi (AUTHOR)
Oka, Tohru (AUTHOR)
Suda, Jun (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 1/27/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-7. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Improved V th Stability and Gate Reliability of GaN-Based MIS-HEMTs by Employing Alternating O 2 Plasma Treatment.
Autorzy:: Xie, Xinling
Wang, Qiang
Pan, Maolin
Zhang, Penghao
Wang, Luyu
Yang, Yannan
Huang, Hai
Hu, Xin
Xu, Min; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
DIELECTRIC breakdown
STRAY currents
CONDUCTION bands
METAL insulator semiconductors
GALLIUM nitride
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991); Mar2024, Vol. 14 Issue 6, p523, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: The Effect of Nanopipes and an Inserted n‐AlGaN Interlayer on GaN Avalanche Photodiodes Performance.
Autorzy:: Sun, Zhaolan
Yang, Jing
Zhao, Degang
Liu, Bing
Yang, Qian
Liu, Zongshun
Duan, Lihong
Liang, Feng
Zheng, Fu
Liu, Xuefeng; Pokaż więcej
Temat:: AVALANCHE photodiodes
GALLIUM nitride
EPITAXIAL layers
STRAY currents
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Feb2024, Vol. 221 Issue 3, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Study on the Hydrogen Effect and Interface/Border Traps of a Depletion-Mode AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor with a SiN x Gate Dielectric at Different Temperatures.
Autorzy:: Zhao, Dongsheng
He, Liang
Wu, Lijuan
Xiao, Qingzhong
Liu, Chang
Chen, Yuan
He, Zhiyuan
Yang, Deqiang
Lv, Mingen
Cheng, Zijun; Pokaż więcej
Temat:: THIN film transistors
MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM nitride
THRESHOLD voltage
DIELECTRICS
STRAY currents
HYDROGEN
Źródło:: Micromachines; Feb2024, Vol. 15 Issue 2, p171, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Barrier inhomogeneity and leakage current transport mechanism in vertical Pt/Gd2O3/GaN Schottky diodes.
Autorzy:: Kim, Hogyoung (AUTHOR)
Lee, Ha Young (AUTHOR)
Choi, Byung Joon (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Sep2021, Vol. 127 Issue 9, p1-8. 8p. 7 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Research Progress in Breakdown Enhancement for GaN-Based High-Electron-Mobility Transistors.
Autorzy:: Tian, Zhiwen
Ji, Xuan
Yang, Dongwei
Liu, Pei; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
STRAY currents
BREAKDOWN voltage
ELECTRIC fields
ELECTRONIC systems
POWER density
Źródło:: Electronics (2079-9292); Nov2023, Vol. 12 Issue 21, p4435, 15p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Off‐State Drain Leakage Current Mechanism in GaN High Electron Mobility Transistors from Thermal Storage Test.
Autorzy:: Mukherjee, Jayjit (AUTHOR)
Chaubey, Rupesh Kumar (AUTHOR)
Rawal, Dipendra S. (AUTHOR)
Dhaka, Rajendra S. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Nov2022, Vol. 219 Issue 21, p1-8. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Simulation-Based Analysis of the Effect of Alpha Irradiation on GaN Particle Detectors.
Autorzy:: Lei, Jianming
Wang, Nan
Jiang, Rukai
Hou, Qianyu; Pokaż więcej
Temat:: PARTICLE detectors
PROTON beams
GALLIUM nitride
IRRADIATION
STRAY currents
PARTICLE beams
Źródło:: Micromachines; Oct2023, Vol. 14 Issue 10, p1872, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Reliability Assessment of On-Wafer AlGaN/GaN HEMTs: The Impact of Electric Field Stress on the Mean Time to Failure.
Autorzy:: Chakraborty, Surajit
Kim, Tae-Woo; Pokaż więcej
Temat:: ELECTRIC fields
THRESHOLD voltage
GALLIUM nitride
TIME pressure
STRAY currents
VOLTAGE
Źródło:: Micromachines; Oct2023, Vol. 14 Issue 10, p1833, 15p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Suppression of Reverse Leakage in Enhancement‐Mode GaN High‐Electron‐Mobility Transistor by Extended PGaN Technology.
Autorzy:: Dai, Xinyue
Ji, Zhongchen
Jiang, Qimeng
Huang, Sen
Fan, Jie
Feng, Chao
Jin, Hao
Tang, Xiaotian
Wang, Xinhua
Liu, Xinyu; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
SCHOTTKY barrier diodes
GALLIUM nitride
STRAY currents
THRESHOLD voltage
LEAKAGE
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2023, Vol. 220 Issue 16, p1-5, 5p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Low Trapping Effects and High Blocking Voltage in Sub-Micron-Thick AlN/GaN Millimeter-Wave Transistors Grown by MBE on Silicon Substrate.
Autorzy:: Carneiro, Elodie
Rennesson, Stéphanie
Tamariz, Sebastian
Harrouche, Kathia
Semond, Fabrice
Medjdoub, Farid; Pokaż więcej
Temat:: HIGH voltages
GALLIUM nitride
MOLECULAR beam epitaxy
TRANSISTORS
THRESHOLD voltage
STRAY currents
Źródło:: Electronics (2079-9292); Jul2023, Vol. 12 Issue 13, p2974, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Micro-Raman Spectroscopy Study of Vertical GaN Schottky Diode.
Autorzy:: N'Dohi, Atse Julien Eric
Sonneville, Camille
Saidi, Soufiane
Ngo, Thi Huong
De Mierry, Philippe
Frayssinet, Eric
Cordier, Yvon
Phung, Luong Viet
Morancho, Frédéric
Maher, Hassan
Planson, Dominique; Pokaż więcej
Temat:: SCHOTTKY barrier diodes
GALLIUM nitride
SPECTROMETRY
STRAY currents
BREAKDOWN voltage
DIODES
CATHODOLUMINESCENCE
Źródło:: Crystals (2073-4352); May2023, Vol. 13 Issue 5, p713, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Effect of High-Pressure GaN Nucleation Layer on the Performance of AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate.
Autorzy:: Weng, You-Chen
Hsiao, Ming-Yao
Lin, Chun-Hsiung
Lan, Yu-Pin
Chang, Edward-Yi; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
EDGE dislocations
MODULATION-doped field-effect transistors
NUCLEATION
DISLOCATION density
STRAY currents
Źródło:: Materials (1996-1944); May2023, Vol. 16 Issue 9, p3376, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: High‐Performance GaN HEMTs with ION/IOFF ≈10 Using Ta2O5 Dielectric.
Autorzy:: Upadhyay, Bhanu B. (AUTHOR)
Surapaneni, Sreenadh (AUTHOR)
Yadav, Yogendra K. (AUTHOR)
Bhardwaj, Navneet (AUTHOR)
Suvachintak, Netaji (AUTHOR)
Ganguly, Swaroop (AUTHOR)
Saha, Dipankar (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Jun2022, Vol. 219 Issue 12, p1-8. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Investigation of Isolation Approaches and the Stoichiometry of SiNx Passivation Layers in "Buffer‐Free" AlGaN/GaN Metal–Insulator–Semiconductor High‐Electron‐Mobility Transistors.
Autorzy:: Hult, Björn
Thorsell, Mattias
Chen, Jr-Tai
Rorsman, Niklas; Pokaż więcej
Temat:: METAL insulator semiconductors
PASSIVATION
MODULATION-doped field-effect transistors
CHEMICAL vapor deposition
GALLIUM nitride
STRAY currents
STOICHIOMETRY
BREAKDOWN voltage
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2023, Vol. 220 Issue 8, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Design and Optimization of Self‐Isolation GaN HEMT with Lateral‐Polarity‐Structure.
Autorzy:: Dai, Yijun
Zhao, Zihui
Luo, Tian
Yu, Zhehan
Chen, Li
Guo, Wei
Ye, Jichun; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
TWO-dimensional electron gas
GALLIUM nitride
STRAY currents
QUARANTINE
Źródło:: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters; Apr2023, Vol. 17 Issue 4, p1-6, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Effect of Electro-Thermo-Mechanical Coupling Stress on Top-Cooled E-Mode AlGaN/GaN HEMT.
Autorzy:: Jiang, Jie
Chen, Qiuqi
Hu, Shengdong
Shi, Yijun
He, Zhiyuan
Huang, Yun
Hui, Caixin
Chen, Yiqiang
Wu, Hao
Lu, Guoguang; Pokaż więcej
Temat:: ALUMINUM gallium nitride
STRAINS & stresses (Mechanics)
GALLIUM nitride
PACKAGING materials
THERMAL stresses
STRAY currents
MODULATION-doped field-effect transistors
Źródło:: Materials (1996-1944); Feb2023, Vol. 16 Issue 4, p1484, 14p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Modeling the Effects of Threading Dislocations on Current in AlGaN/GaN HEMT.
Autorzy:: Liu, Censong
Wang, Jie
Chen, Zhanfei
Liu, Jun
Su, Jiangtao; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
STRAY currents
GALLIUM nitride
Źródło:: Micromachines; Feb2023, Vol. 14 Issue 2, p305, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""STRAY currents"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji