High-Electrical-Conductivity Multilayer Graphene Formed by Layer Exchange with Controlled Thickness and Interlayer.
Autorzy:
Murata H; Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan. Nakajima Y; Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan. Saitoh N; Electron Microscope Facility, TIA, AIST, 16-1 Onogawa, Tsukuba, 305-8569, Japan. Yoshizawa N; Electron Microscope Facility, TIA, AIST, 16-1 Onogawa, Tsukuba, 305-8569, Japan. Suemasu T; Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan. Toko K; Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan. .; PRESTO, Japan Science and Technology Agency, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama, 332-0012, Japan. .
Pokaż więcej
Źródło:
Scientific reports [Sci Rep] 2019 Mar 11; Vol. 9 (1), pp. 4068. Date of Electronic Publication: 2019 Mar 11.
High-temperature post-annealing effect on the surface morphology and photoresponse and electrical properties of B-doped BaSi2 films grown by molecular beam epitaxy under various Ba-to-Si deposition rate ratios
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
