- Tytuł:
- Influence of the V/III ratio in the gas phase on thin epitaxial AlN layers grown on (0001) sapphire by high temperature hydride vapor phase epitaxy
- Autorzy:
- Źródło:
- In Thin Solid Films 31 December 2014 573:140-147
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.