Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Sekhar Reddy, P. R."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Structural, Chemical and Electrical Properties of Au/La2O3/n-GaN MIS Junction with a High-k Lanthanum Oxide Insulating Layer.
Autorzy:
Uma, M.
Balaram, N.
Sekhar Reddy, P. R.
Janardhanam, V.
Rajagopal Reddy, V.
Yun, Hyung-Joong
Lee, Sung-Nam
Choi, Chel-Jong
Pokaż więcej
Temat:
LANTHANUM oxide
METAL insulator semiconductors
CHEMICAL properties
ELECTRIC properties
ELECTRON beams
ELECTRIC conductivity
SEMICONDUCTORS
NANOPARTICLES
Źródło:
Journal of Electronic Materials; Jul2019, Vol. 48 Issue 7, p4217-4225, 9p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies