Autor: "Shahedipour-Sandvik, F." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Shahedipour-Sandvik, F."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 120

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Synchrotron X-ray topography characterization of high quality ammonothermal-grown gallium nitride substrates
Autorzy:: Liu, Yafei
Raghothamachar, Balaji
Peng, Hongyu
Ailihumaer, Tuerxun
Dudley, Michael
Collazo, Ramon
Tweedie, James
Sitar, Zlatko
Shadi Shahedipour-Sandvik, F.
Jones, Kenneth A.
Armstrong, Andrew
Allerman, Andrew A.
Grabianska, Karolina
Kucharski, Robert
Bockowski, Michal; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 1 December 2020 551

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: X-ray topography characterization of gallium nitride substrates for power device development
Autorzy:: Raghothamachar, Balaji
Liu, Yafei
Peng, Hongyu
Ailihumaer, Tuerxun
Dudley, Michael
Shahedipour-Sandvik, F. Shadi
Jones, Kenneth A.
Armstrong, Andrew
Allerman, Andrew A.
Han, Jung
Fu, Houqiang
Fu, Kai
Zhao, Yuji; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 August 2020 544

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Investigation of the Effects of Forming Gas Annealing on Al2O3/GaN Interface
Autorzy:: McEwen, B.
Mahaboob, I.
Rocco, E.
Hogan, K.
Meyers, V.
Green, R.
Nouketcha, F.
Murray, T.
Kaushik, V.
Lelis, A.
Shahedipour-Sandvik, F.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 50(1):80-84

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs in stretchable geometries
Autorzy:: Tompkins, R.P.
Mahaboob, I.
Shahedipour-Sandvik, F.
Lazarus, N.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics October 2017 136:36-42

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Removal of Dry-Etch-Induced Surface Layer Damage from p-GaN by Photoelectrochemical Etching
Autorzy:: Meyers, V.
Rocco, E.
Hogan, K.
Tozier, S.
McEwen, B.
Mahaboob, I.
Shahedipour-Sandvik, F.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 49(6):3481-3489

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Photoluminescence from Be‐Doped GaN Grown by Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition.
Autorzy:: Reshchikov, Michael Alexander
Vorobiov, Mykhailo
Andrieiev, Oleksandr
McEwen, Benjamin
Rocco, Emma
Meyers, Vincent
Demchenko, Denis O.
Shahedipour-Sandvik, F. Shadi; Pokaż więcej
Temat:: CHEMICAL vapor deposition
PHOTOLUMINESCENCE
GALLIUM nitride
GALLIUM nitride films
CONDUCTION bands
VALENCE bands
Źródło:: Physica Status Solidi (B); Aug2023, Vol. 260 Issue 8, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Hillock assisted p-type enhancement in N-polar GaN:Mg films grown by MOCVD
Autorzy:: Rocco, Emma
Licata, Olivia
Mahaboob, Isra
Hogan, Kasey
Tozier, Sean
Meyers, Vincent
McEwen, Benjamin
Novak, Steven
Mazumder, Baishakhi
Reshchikov, Michael
Douglas Bell, L.
Shahedipour-Sandvik, F.; Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 10(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Mg Incorporation Efficiency in Pulsed MOCVD of N-Polar GaN:Mg
Autorzy:: Marini, Jonathan
Mahaboob, Isra
Hogan, Kasey
Novak, Steve
Bell, L. D.
Shahedipour-Sandvik, F.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. October 2017 46(10):5820-5826

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Hybrid n-GaN and polymer interfaces: Model systems for tunable photodiodes
Autorzy:: Kumar, Prashant
Guha, S.
Shahedipour-Sandvik, F.
Narayan, K.S.; Pokaż więcej
Źródło:: In Organic Electronics November 2013 14(11):2818-2825

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Homoepitaxial growth of non-polar AlN crystals using molecular dynamics simulations
Autorzy:: Leathersich, Jeff
Suvarna, Puneet
Tungare, Mihir
Shahedipour-Sandvik, F. (Shadi); Pokaż więcej
Źródło:: In Surface Science November 2013 617:36-41

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Dielectric properties and thickness metrology of strain engineered GaN/AlN/Si (111) thin films grown by MOCVD
Autorzy:: Tungare, M.
Kamineni, V.K.
Shahedipour-Sandvik, F.
Diebold, A.C.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 28 February 2011 519(9):2929-2932

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Turn-on voltage engineering and enhancement mode operation of AlGaN/GaN high electron mobility transistor using multiple heterointerfaces
Autorzy:: Tripathi, N.
Jindal, V.
Shahedipour-Sandvik, F.
Rajan, S.
Vert, A.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics 2010 54(11):1291-1294

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Defect-related photoluminescence in Mg-doped GaN nanostructures
Autorzy:: Reshchikov, M.A.
Shahedipour-Sandvik, F.
Messer, B.J.
Jindal, V.
Tripathi, N.
Tungare, M.; Pokaż więcej
Źródło:: In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 December 2009 404(23-24):4903-4906

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Density functional calculations of the strain effects on binding energies and adatom diffusion on (0 0 0 1) GaN surfaces
Autorzy:: Grandusky, J.R.
Jindal, V.
Raynolds, J.E.
Guha, S.
Shahedipour-Sandvik, F.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2009 158(1):13-18

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: GaN Power Schottky Diodes with Drift Layers Grown on Four Substrates
Autorzy:: Tompkins, R. P.
Smith, J. R.
Kirchner, K. W.
Jones, K. A.
Leach, J. H.
Udwary, K.
Preble, E.
Suvarna, P.
Leathersich, J.M.
Shahedipour-Sandvik, F.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. April 2014 43(4):850-856

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Ion-Implantation-Induced Damage Characteristics Within AlN and Si for GaN-on-Si Epitaxy
Autorzy:: Leathersich, Jeffrey M.
Tungare, Mihir
Weng, Xiaojun
Suvarna, Puneet
Agnihotri, Pratik
Evans, Morgan
Redwing, Joan
Shahedipour-Sandvik, F.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. May 2013 42(5):833-837

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Design and Growth of Visible-Blind and Solar-Blind III-N APDs on Sapphire Substrates
Autorzy:: Suvarna, Puneet
Tungare, Mihir
Leathersich, Jeffrey M.
Agnihotri, Pratik
Shahedipour-Sandvik, F.
Douglas Bell, L.
Nikzad, Shouleh; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. May 2013 42(5):854-858

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Identification of subsurface damage in freestanding HVPE GaN substrates and its influence on epitaxial growth of GaN epilayers
Autorzy:: Grandusky, J.R.
Jindal, V.
Tripathi, N.
Shahedipour-Sandvik, F.
Lu, H.
Kaminsky, E.B.
Melkote, R.; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 2007 307(2):309-314

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 120

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Shahedipour-Sandvik, F."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji