Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Shin, Ju-Won"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Effect of Trap Behavior on the Reliability Instability of Metamorphic Buffer in InAlAs/InGaAs MHEMT on GaAs.
    Autorzy:
    Shin, Ki-Yong (AUTHOR)
    Shin, Ju-Won (AUTHOR)
    Amir, Walid (AUTHOR)
    Chakraborty, Surajit (AUTHOR)
    Shim, Jae-Phil (AUTHOR)
    Lee, Sang-Tae (AUTHOR)
    Jang, Hyunchul (AUTHOR)
    Shin, Chan-Soo (AUTHOR)
    Kwon, Hyuk-Min (AUTHOR)
    Kim, Tae-Woo (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Materials (1996-1944). Sep2023, Vol. 16 Issue 18, p6138. 11p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Author Correction: A quantitative approach for trap analysis between Al0.25Ga0.75N and GaN in high electron mobility transistors
    Autorzy:
    Amir, Walid
    Shin, Ju‑Won
    Shin, Ki‑Yong
    Kim, Jae‑Moo
    Cho, Chu‑Young
    Park, Kyung‑Ho
    Hoshi, Takuya
    Tsutsumi, Takuya
    Sugiyama, Hiroki
    Matsuzaki, Hideaki
    Kim, Tae‑WooAff1, IDs41598021028543_cor11
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific Reports. 11(1)
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Reliability Instability Assessment with Interfacial Trapping Analysis for the Optimization of Al Composition in AlxGa1−xN/GaN High Electron Mobility Transistors.
    Autorzy:
    Amir, Walid (AUTHOR)
    Shin, Ju-Won (AUTHOR)
    Chakraborty, Surajit (AUTHOR)
    Shin, Ki-Yong (AUTHOR)
    Hoshi, Takuya (AUTHOR)
    Tsutsumi, Takuya (AUTHOR)
    Sugiyama, Hiroki (AUTHOR)
    Matsuzaki, Hideaki (AUTHOR)
    Kim, Tae-Woo (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Dec2023, p1. 6p. 7 Illustrations, 1 Chart.
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    A quantitative approach for trap analysis between Al0.25Ga0.75N and GaN in high electron mobility transistors.
    Autorzy:
    Amir, Walid (AUTHOR)
    Shin, Ju-Won (AUTHOR)
    Shin, Ki-Yong (AUTHOR)
    Kim, Jae-Moo (AUTHOR)
    Cho, Chu-Young (AUTHOR)
    Park, Kyung-Ho (AUTHOR)
    Hoshi, Takuya (AUTHOR)
    Tsutsumi, Takuya (AUTHOR)
    Sugiyama, Hiroki (AUTHOR)
    Matsuzaki, Hideaki (AUTHOR)
    Kim, Tae-Woo (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific Reports. 11/17/2021, Vol. 11 Issue 1, p1-9. 9p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies