Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Shmidt, N. M."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Diversity of Properties of Device Structures Based on Group-III Nitrides, Related to Modification of the Fractal-Percolation System
Autorzy :
Emtsev, V. V.
Gushchina, E. V.
Petrov, V. N.
Tal’nishnih, N. A.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.
Usikov, A. S.
Kartashova, A. P.
Zybin, A. A.
Kozlovski, V. V.
Kudoyarov, M. F.
Saharov, A. V.
Oganesyan, A. G.
Poloskin, D. S.
Lundin, V. V.
Pokaż więcej
Źródło :
Semiconductors. 52(7):942-949
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep trap analysis in green light emitting diodes: Problems and solutions.
Autorzy :
Polyakov, A. Y.
Shmidt, N. M.
Smirnov, N. B.
Shchemerov, I. V.
Shabunina, E. I.
Tal'nishnih, N. A.
Lee, In-Hwan
Alexanyan, L. A.
Tarelkin, S. A.
Pearton, S. J.
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
DEEP level transient spectroscopy
INDIUM gallium nitride
CAPACITANCE-voltage characteristics
SIGNAL frequency estimation
QUANTUM wells
TEMPERATURE effect
Źródło :
Journal of Applied Physics; 6/7/2019, Vol. 125 Issue 21, pN.PAG-N.PAG, 8p, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel
Autorzy :
Emtsev, V. V.
Zavarin, E. E.
Kozlovskii, M. A.
Kudoyarov, M. F.
Lundin, V. V.
Oganesyan, G. A.
Petrov, V. N.
Poloskin, D. S.
Sakharov, A. V.
Troshkov, S. I.
Shmidt, N. M.
V’yuginov, V. N.
Zybin, A. A.
Parnes, Ya. M.
Vidyakin, S. I.
Gudkov, A. G.
Chernyakov, A. E.
Kozlovskii, V. V.
Pokaż więcej
Źródło :
Technical Physics Letters. November 2016 42(11):1079-1082
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of electron-beam irradiation in SEM on the cathodoluminescence and electron-beam-induced current in InGaN/GaN light-emitting diodes with a buried active region
Autorzy :
Vergeles, P. S.
Shmidt, N. M.
Yakimov, E. B.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. November 2012 6(6):890-893
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Study of the effect of irradiation with the SEM electron beam on cathodoluminescence and the induced current in InGaN/GaN structures with multiple quantum wells
Autorzy :
Vergeles, P. S.
Shmidt, N. M.
Yakimov, E. B.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. October 2011 5(5):945-948
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of the silicon doping level and features of nanostructural arrangement on decrease in external quantum efficiency in InGaN/GaN light-emitting diodes with increasing current
Autorzy :
Ber, B. Ya.
Bogdanova, E. V.
Greshnov, A. A.
Zakgeim, A. L.
Kazanzev, D. Yu.
Kartashova, A. P.
Pavluchenko, A. S.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.
Yakimov, E. B.
Pokaż więcej
Źródło :
Semiconductors. March 2011 45(3):415-421
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies