Autor: "Shmidt, N. M." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Temperature-Dependent Decrease in Efficiency in Power Blue InGaN/GaN LEDs
Autorzy :: Shmidt, N. M.
Shabunina, E. I.
Chernyakov, A. E.
Ivanov, A. E.
Tal’nishnikh, N. A.
Zakgeim, A. L.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. 46(12):1253-1256
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Effect of Electron Irradiation with an Energy of 0.9 MeV on the I–V Characteristics and Low-Frequency Noise in 4H–SiC pin Diodes
Autorzy :: Dobrov, V. A.
Kozlovski, V. V.
Mescheryakov, A. V.
Usychenko, V. G.Aff1, Aff2
Chernova, A. S.Aff1, Aff2
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 53(4):545-551
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Diversity of Properties of Device Structures Based on Group-III Nitrides, Related to Modification of the Fractal-Percolation System
Autorzy :: Emtsev, V. V.
Gushchina, E. V.
Petrov, V. N.
Tal’nishnih, N. A.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.
Usikov, A. S.
Kartashova, A. P.
Zybin, A. A.
Kozlovski, V. V.
Kudoyarov, M. F.
Saharov, A. V.
Oganesyan, A. G.
Poloskin, D. S.
Lundin, V. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(7):942-949
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Deep trap analysis in green light emitting diodes: Problems and solutions.
Autorzy :: Polyakov, A. Y.
Shmidt, N. M.
Smirnov, N. B.
Shchemerov, I. V.
Shabunina, E. I.
Tal'nishnih, N. A.
Lee, In-Hwan
Alexanyan, L. A.
Tarelkin, S. A.
Pearton, S. J.; Pokaż więcej
Temat :: LIGHT emitting diodes
DEEP level transient spectroscopy
INDIUM gallium nitride
CAPACITANCE-voltage characteristics
SIGNAL frequency estimation
QUANTUM wells
TEMPERATURE effect
Źródło :: Journal of Applied Physics; 6/7/2019, Vol. 125 Issue 21, pN.PAG-N.PAG, 8p, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: The Effect of Dose of Nitrogen-Ion Implantation on the Concentration of Point Defects Introduced into GaAs Layers
Autorzy :: Sobolev, N. A.
Ber, B. Ya.
Kazantsev, D. Yu.
Kalyadin, A. E.
Karabeshkin, K. V.
Mikoushkin, V. M.
Sakharov, V. I.
Serenkov, I. T.
Shek, E. I.
Sherstnev, E. V.
Shmidt, N. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. 44(7):574-576
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Stress relaxation in InGaAsP/InP heterostructures for 1064-nm laser radiation converters
Autorzy :: Marichev, A. E.
Levin, R. V.
Gordeeva, A. B.
Gagis, G. S.
Kuchinskii, V. I.
Pushnyi, B. V.
Prasolov, N. D.
Shmidt, N. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. January 2017 43(1):88-91
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel
Autorzy :: Emtsev, V. V.
Zavarin, E. E.
Kozlovskii, M. A.
Kudoyarov, M. F.
Lundin, V. V.
Oganesyan, G. A.
Petrov, V. N.
Poloskin, D. S.
Sakharov, A. V.
Troshkov, S. I.
Shmidt, N. M.
V’yuginov, V. N.
Zybin, A. A.
Parnes, Ya. M.
Vidyakin, S. I.
Gudkov, A. G.
Chernyakov, A. E.
Kozlovskii, V. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. November 2016 42(11):1079-1082
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena
Autorzy :: Petrov, V. N.
Sidorov, V. G.
Talnishnikh, N. A.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.
Usikov, A. S.
Helava, H.
Makarov, Yu. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. September 2016 50(9):1173-1179
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Solar-blind Al x Ga1–x N (x > 0.45) p–i–n photodiodes with a polarization-p-doped emitter
Autorzy :: Kuznetsova, N. V.
Nechaev, D. V.
Shmidt, N. M.
Karpov, S. Yu.
Rzheutskii, N. V.
Zemlyakov, V. E.
Kaibyshev, V. Kh.
Kazantsev, D. Yu.
Troshkov, S. I.
Egorkin, V. I.
Ber, B. Ya.
Lutsenko, E. V.
Ivanov, S. V.
Jmerik, V. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. June 2016 42(6):635-638
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial
Autorzy :: Emtsev, V. V.
Zavarin, E. E.
Oganesyan, G. A.
Petrov, V. N.
Sakharov, A. V.
Shmidt, N. M.
V’yuginov, V. N.
Zybin, A. A.
Parnes, Ya. M.
Vidyakin, S. I.
Gudkov, A. G.
Chernyakov, A. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. July 2016 42(7):701-703
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Study of the degradation of the external quantum efficiency of UV LEDs based on AlGaN/GaN heterostructures grown by chloride-hydride vapor-phase epitaxy
Autorzy :: Shmidt, N. M.
Usikov, A. S.
Shabunina, E. I.
Chernyakov, A. E.
Sakharov, A. V.
Kurin, S. Yu.
Antipov, A. A.
Barash, I. S.
Roenkov, A. D.
Makarov, Yu. N.
Helava, H.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. July 2014 40(7):574-577
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Influence of electron-beam irradiation in SEM on the cathodoluminescence and electron-beam-induced current in InGaN/GaN light-emitting diodes with a buried active region
Autorzy :: Vergeles, P. S.
Shmidt, N. M.
Yakimov, E. B.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. November 2012 6(6):890-893
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Low-frequency noise in as-fabricated and degraded blue InGaAs/GaN LEDs
Autorzy :: Zakheim, A. L.
Levinshtein, M. E.
Petrov, V. P.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. February 2012 46(2):208-212
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Study of the effect of irradiation with the SEM electron beam on cathodoluminescence and the induced current in InGaN/GaN structures with multiple quantum wells
Autorzy :: Vergeles, P. S.
Shmidt, N. M.
Yakimov, E. B.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. October 2011 5(5):945-948
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Effect of the silicon doping level and features of nanostructural arrangement on decrease in external quantum efficiency in InGaN/GaN light-emitting diodes with increasing current
Autorzy :: Ber, B. Ya.
Bogdanova, E. V.
Greshnov, A. A.
Zakgeim, A. L.
Kazanzev, D. Yu.
Kartashova, A. P.
Pavluchenko, A. S.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.
Yakimov, E. B.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. March 2011 45(3):415-421
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Frequency and temperature dependences of capacitance-voltage characteristics of InGaN/GaN light-emitting structures with multiple quantum wells
Autorzy :: Soltanovich, O. A.
Shmidt, N. M.
Yakimov, E. B.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. February 2011 45(2):221-224
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Structural and electrical properties of SiGe-on-insulator substrates fabricated by direct bonding
Autorzy :: Grekhov, I. V.
Kostina, L. S.
Argunova, T. S.
Belyakova, E. I.
Rozkov, A. V.
Shmidt, N. M.
Yusupova, Sh. A.
Je, J. H.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. August 2010 44(8):1101-1105
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 20 20.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Shmidt, N. M."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język