Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Siekacz, M"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Dependence of indium content in monolayer-thick InGaN quantum wells on growth temperature in InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N superlattices.
Autorzy :
Wolny, P.
Anikeeva, M.
Sawicka, M.
Schulz, T.
Markurt, T.
Albrecht, M.
Siekacz, M.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
QUANTUM wells
SUPERLATTICES
MOLECULAR beam epitaxy
INDIUM
SCANNING transmission electron microscopy
TRANSMISSION electron microscopy
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 9p, 3 Diagrams, 2 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of quantum well inhomogeneities on absorption, spontaneous emission, photoluminescence decay time, and lasing in polar InGaN quantum wells emitting in the blue-green spectral region
Autorzy :
Gladysiewicz, M.
Kudrawiec, R.
Syperek, M.
Misiewicz, J.
Siekacz, M.
Cywinski, G.
Khachapuridze, A.
Suski, T.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Źródło :
Applied Physics A: Materials Science & Processing. June 2014 115(3):1015-1023
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Strain relaxation in semipolar (2021) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Sawicka, M.
Kryśko, M.
Muziol, G.
Turski, H.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Smalc-Koziorowska, J.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
MOLECULAR beam epitaxy
X-ray diffraction
CATHODOLUMINESCENCE
LATTICE dynamics
SURFACE roughness
Źródło :
Journal of Applied Physics; 5/14/2016, Vol. 119 Issue 18, p185701-1-185701-9, 9p, 2 Diagrams, 3 Graphs, 4 Maps
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy
Autorzy :
Staszczak, G.
Gorczyca, I.
Grzanka, E.
Smalc-Koziorowska, J.
Targowski, G.
Czernecki, R.
Siekacz, M.
Grzanka, S.
Skierbiszewski, C.
Schulz, T.
Christensen, N. E.
Suski, T.
Pokaż więcej
Temat :
III-nitride semiconductors
band structure
MOVPE
superlattices
LIGHT-EMITTING-DIODES
III-V NITRIDES
QUANTUM-WELLS
ELECTRIC-FIELDS
POLARIZATION
GAINN
Źródło :
Staszczak, G, Gorczyca, I, Grzanka, E, Smalc-Koziorowska, J, Targowski, G, Czernecki, R, Siekacz, M, Grzanka, S, Skierbiszewski, C, Schulz, T, Christensen, N E & Suski, T 2017, ' Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy ', IPPS physica status solidi (b), vol. 254, no. 8, 1600710 . https://doi.org/10.1002/pssb.201600710
Tytuł :
Optically pumped 500 nm InGaN green lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Siekacz, M.
Sawicka, M.
Turski, H.
Cywinski, G.
Khachapuridze, A.
Perlin, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Smalc-Koziorowska, J.
Krysko, M.
Kudrawiec, R.
Syperek, M.
Misiewicz, J.
Wasilewski, Z.
Porowski, S.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM compounds
GALLIUM nitride
MOLECULAR beam epitaxy
NITROGEN
PIEZOELECTRIC materials research
Źródło :
Journal of Applied Physics; Sep2011, Vol. 110 Issue 6, p063110, 7p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies