Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Siekacz, M"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Dependence of indium content in monolayer-thick InGaN quantum wells on growth temperature in InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N superlattices.
Autorzy :
Wolny, P.
Anikeeva, M.
Sawicka, M.
Schulz, T.
Markurt, T.
Albrecht, M.
Siekacz, M.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
QUANTUM wells
SUPERLATTICES
MOLECULAR beam epitaxy
INDIUM
SCANNING transmission electron microscopy
TRANSMISSION electron microscopy
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 9p, 3 Diagrams, 2 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Strain relaxation in semipolar (2021) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Sawicka, M.
Kryśko, M.
Muziol, G.
Turski, H.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Smalc-Koziorowska, J.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
MOLECULAR beam epitaxy
X-ray diffraction
CATHODOLUMINESCENCE
LATTICE dynamics
SURFACE roughness
Źródło :
Journal of Applied Physics; 5/14/2016, Vol. 119 Issue 18, p185701-1-185701-9, 9p, 2 Diagrams, 3 Graphs, 4 Maps
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Peculiarities of plastic relaxation of (0001) InGaN epilayers and their consequences for pseudo-substrate application.
Autorzy :
Moneta, J.
Siekacz, M.
Grzanka, E.
Schulz, T.
Markurt, T.
Albrecht, M.
Smalc-Koziorowska, J.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM gallium nitride films
MOLECULAR beam epitaxy
TRANSMISSION electron microscopy
PIEZOELECTRIC materials
DISLOCATION density
Źródło :
Applied Physics Letters; 7/16/2018, Vol. 113 Issue 3, pN.PAG-N.PAG, 4p, 3 Diagrams, 2 Charts
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Optically pumped 500 nm InGaN green lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Siekacz, M.
Sawicka, M.
Turski, H.
Cywinski, G.
Khachapuridze, A.
Perlin, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Smalc-Koziorowska, J.
Krysko, M.
Kudrawiec, R.
Syperek, M.
Misiewicz, J.
Wasilewski, Z.
Porowski, S.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM compounds
GALLIUM nitride
MOLECULAR beam epitaxy
NITROGEN
PIEZOELECTRIC materials research
Źródło :
Journal of Applied Physics; Sep2011, Vol. 110 Issue 6, p063110, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Contactless electroreflectance of InGaN layers with indium content ≤36%: The surface band bending, band gap bowing, and Stokes shift issues.
Autorzy :
Kudrawiec, R.
Siekacz, M.
Krysko, M.
Cywinski, G.
Misiewicz, J.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
PHOTOLUMINESCENCE
INDIUM alloys
GALLIUM nitride
MECHANICAL properties of thin films
BENDING stresses
POINT defects
MATHEMATICAL physics
Źródło :
Journal of Applied Physics; Dec2009, Vol. 106 Issue 11, p113517-1-113517-6, 6p, 1 Chart, 7 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy.
Autorzy :
Staszczak, G.
Gorczyca, I.
Grzanka, E.
Smalc‐Koziorowska, J.
Targowski, G.
Czernecki, R.
Siekacz, M.
Grzanka, S.
Skierbiszewski, C.
Schulz, T.
Christensen, N. E.
Suski, T.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM gallium nitride
ENERGY gaps (Physics)
SUPERLATTICES
METAL organic chemical vapor deposition
METAL microstructure
Źródło :
Physica Status Solidi (B); Aug2017, Vol. 254 Issue 8, pn/a-N.PAG, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of quantum well inhomogeneities on absorption, spontaneous emission, photoluminescence decay time, and lasing in polar InGaN quantum wells emitting in the blue-green spectral region.
Autorzy :
Gladysiewicz, M.
Kudrawiec, R.
Syperek, M.
Misiewicz, J.
Siekacz, M.
Cywinski, G.
Khachapuridze, A.
Suski, T.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
QUANTUM wells
ABSORPTION spectra
PHOTON emission
PHOTOLUMINESCENCE
ACTIVE medium
GALLIUM nitride
Źródło :
Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jun2014, Vol. 115 Issue 3, p1015-1023, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Ultraviolet light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on semipolar GaN [formula] substrates.
Autorzy :
Sawicka, M.
Chèze, C.
Turski, H.
Muziol, G.
Grzanka, S.
Hauswald, C.
Brandt, O.
Siekacz, M.
Kucharski, R.
Remmele, T.
Albrecht, M.
Krysko, M.
Grzanka, E.
Sochacki, T.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM wells
OPTOELECTRONIC devices
EPITAXY
Źródło :
Applied Physics Letters; 3/18/2013, Vol. 102 Issue 11, p111107, 4p, 1 Color Photograph, 2 Charts, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
InGaN laser diodes operating at 450-460 nm grown by rf-plasma MBE.
Autorzy :
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Turski, H.
Muzioł, G.
Sawicka, M.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Smalc-Koziorowska, J.
Perlin, P.
Grzanka, S.
Wasilewski, Z. R.
Kucharski, R.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM arsenide epitaxy
SCHOTTKY barrier diodes
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM well lasers
WAVELENGTHS
NITROGEN
Źródło :
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Mar2012, Vol. 30 Issue 2, p02B102, 5p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Growth and characterization of AlInN/GaInN quantum wells for high-speed intersubband devices at telecommunication wavelengths.
Autorzy :
Skierbiszewski, C.
Cywiński, G.
Siekacz, M.
Feduniewicz-Zmuda, A.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Tchernycheva, M.
Julien, F. H.
Smalc, J.
Prystawko, P.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Domagała, J. Z.
Remmele, T.
Albrecht, M.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Źródło :
Proceedings of SPIE; Nov2006, Issue 1, p612109-612109-12, 12p
Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies