Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Siekacz, M"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Dependence of indium content in monolayer-thick InGaN quantum wells on growth temperature in InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N superlattices.
Autorzy :
Wolny, P.
Anikeeva, M.
Sawicka, M.
Schulz, T.
Markurt, T.
Albrecht, M.
Siekacz, M.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
QUANTUM wells
SUPERLATTICES
MOLECULAR beam epitaxy
INDIUM
SCANNING transmission electron microscopy
TRANSMISSION electron microscopy
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 9p, 3 Diagrams, 2 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of quantum well inhomogeneities on absorption, spontaneous emission, photoluminescence decay time, and lasing in polar InGaN quantum wells emitting in the blue-green spectral region
Autorzy :
Gladysiewicz, M.
Kudrawiec, R.
Syperek, M.
Misiewicz, J.
Siekacz, M.
Cywinski, G.
Khachapuridze, A.
Suski, T.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Źródło :
Applied Physics A: Materials Science & Processing. June 2014 115(3):1015-1023
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Strain relaxation in semipolar (2021) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Sawicka, M.
Kryśko, M.
Muziol, G.
Turski, H.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Smalc-Koziorowska, J.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
MOLECULAR beam epitaxy
X-ray diffraction
CATHODOLUMINESCENCE
LATTICE dynamics
SURFACE roughness
Źródło :
Journal of Applied Physics; 5/14/2016, Vol. 119 Issue 18, p185701-1-185701-9, 9p, 2 Diagrams, 3 Graphs, 4 Maps
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy
Autorzy :
Staszczak, G.
Gorczyca, I.
Grzanka, E.
Smalc-Koziorowska, J.
Targowski, G.
Czernecki, R.
Siekacz, M.
Grzanka, S.
Skierbiszewski, C.
Schulz, T.
Christensen, N. E.
Suski, T.
Pokaż więcej
Temat :
III-nitride semiconductors
band structure
MOVPE
superlattices
LIGHT-EMITTING-DIODES
III-V NITRIDES
QUANTUM-WELLS
ELECTRIC-FIELDS
POLARIZATION
GAINN
Źródło :
Staszczak, G, Gorczyca, I, Grzanka, E, Smalc-Koziorowska, J, Targowski, G, Czernecki, R, Siekacz, M, Grzanka, S, Skierbiszewski, C, Schulz, T, Christensen, N E & Suski, T 2017, ' Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy ', IPPS physica status solidi (b), vol. 254, no. 8, 1600710 . https://doi.org/10.1002/pssb.201600710
Tytuł :
Optically pumped 500 nm InGaN green lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Siekacz, M.
Sawicka, M.
Turski, H.
Cywinski, G.
Khachapuridze, A.
Perlin, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Smalc-Koziorowska, J.
Krysko, M.
Kudrawiec, R.
Syperek, M.
Misiewicz, J.
Wasilewski, Z.
Porowski, S.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM compounds
GALLIUM nitride
MOLECULAR beam epitaxy
NITROGEN
PIEZOELECTRIC materials research
Źródło :
Journal of Applied Physics; Sep2011, Vol. 110 Issue 6, p063110, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Contactless electroreflectance of InGaN layers with indium content ≤36%: The surface band bending, band gap bowing, and Stokes shift issues.
Autorzy :
Kudrawiec, R.
Siekacz, M.
Krysko, M.
Cywinski, G.
Misiewicz, J.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
PHOTOLUMINESCENCE
INDIUM alloys
GALLIUM nitride
MECHANICAL properties of thin films
BENDING stresses
POINT defects
MATHEMATICAL physics
Źródło :
Journal of Applied Physics; Dec2009, Vol. 106 Issue 11, p113517-1-113517-6, 6p, 1 Chart, 7 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Broadening of intersubband and interband transitions in InGaN/AlInN multi-quantum wells
Autorzy :
Gladysiewicz, M
Kudrawiec, R
Misiewicz, J
Cywiński, G
Siekacz, M
Skierbiszewski, C
Pokaż więcej
Temat :
Physical Sciences
Źródło :
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2010, 43 (19), pp.195101. ⟨10.1088/0022-3727/43/19/195101⟩
Journal of Physics D: Applied Physics
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2010, 43 (19), pp.195101. 〈10.1088/0022-3727/43/19/195101〉
Tytuł :
Ultraviolet light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on semipolar GaN [formula] substrates.
Autorzy :
Sawicka, M.
Chèze, C.
Turski, H.
Muziol, G.
Grzanka, S.
Hauswald, C.
Brandt, O.
Siekacz, M.
Kucharski, R.
Remmele, T.
Albrecht, M.
Krysko, M.
Grzanka, E.
Sochacki, T.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM wells
OPTOELECTRONIC devices
EPITAXY
Źródło :
Applied Physics Letters; 3/18/2013, Vol. 102 Issue 11, p111107, 4p, 1 Color Photograph, 2 Charts, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Growth and characterization of AlInN/GaInN quantum wells for high-speed intersubband devices at telecommunication wavelengths.
Autorzy :
Skierbiszewski, C.
Cywiński, G.
Siekacz, M.
Feduniewicz-Zmuda, A.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Tchernycheva, M.
Julien, F. H.
Smalc, J.
Prystawko, P.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Domagała, J. Z.
Remmele, T.
Albrecht, M.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Źródło :
Proceedings of SPIE; Nov2006, Issue 1, p612109-612109-12, 12p
Konferencja
Tytuł :
Erratum: “Theoretical and experimental studies of electric field distribution in N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructures” [Appl. Phys. Lett. 107, 262107 (2016)].
Autorzy :
Gladysiewicz, M.
Janicki, L.
Siekacz, M.
Cywinski, G.
Skierbiszewski, C.
Kudrawiec, R.
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
ELECTRIC properties of aluminum gallium nitride
ELECTRIC properties of gallium nitride
Źródło :
Applied Physics Letters; 8/27/2018, Vol. 113 Issue 9, pN.PAG-N.PAG, 1p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Growth of thin AlInN/GaInN quantum wells for applications to high-speed intersubband devices at telecommunication wavelengths.
Autorzy :
Cywiñski, G.
Skierbiszewski, C.
Fedunieiwcz-żmuda, A.
Siekacz, M.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Tchernycheva, M.
Julien, F. H.
Prystawko, P.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Presz, A.
Domagał, J. Z.
Smalc, J.
Albrecht, M.
Remmele, T.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Temat :
MOLECULAR beam epitaxy
SAPPHIRES
SCANNING electron microscopy
X-ray diffraction
QUANTUM wells
Źródło :
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; May/Jun2006, Vol. 24 Issue 3, p1505-1509, 5p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Optically pumped GaN/AlGaN separate-confinement heterostructure laser grown along the (1120) nonpolar direction.
Autorzy :
Teisseyre, H.
Skierbiszewski, C.
Khachapuridze, A.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Siekacz, M.
Łucznik, B.
Kamler, G.
Krysko, M.
Suski, T.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
CRYSTALS
SUPERLATTICES
LASERS
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM wells
OPTICAL polarization
DENSITY
Źródło :
Applied Physics Letters; 2/19/2007, Vol. 90 Issue 8, p081104-1, 3p, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Free and bound excitons in GaN/AlGaN homoepitaxial quantum wells grown on bulk GaN substrate along the nonpolar (1120) direction.
Autorzy :
Teisseyre, H.
Skierbiszewski, C.
Łucznik, B.
Kamler, G.
Feduniewicz, A.
Siekacz, M.
Suski, T.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Temat :
QUANTUM wells
ENERGY-band theory of solids
POTENTIAL theory (Physics)
PLASMA gases
MOLECULAR beam epitaxy
PHOTOLUMINESCENCE
GALLIUM
Źródło :
Applied Physics Letters; 4/18/2005, Vol. 86 Issue 16, p162112, 3p, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
High mobility two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures grown on bulk GaN by plasma assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Skierbiszewski, C.
Dybko, K.
Knap, W.
Siekacz, M.
Krupczyński, W.
Nowak, G.
Boćkowski, M.
Łusakowski, J.
Wasilewski, Z. R.
Maude, D.
Suski, T.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Temat :
EPITAXY
PARTICLES (Nuclear physics)
ELECTRON gas
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
MOLECULAR beam epitaxy
CRYSTAL growth
Źródło :
Applied Physics Letters; 3/7/2005, Vol. 86 Issue 10, p102106, 3p, 4 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies