Skocz do pozycji: 1.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells.

Autorzy:

Piprek, Joachim (AUTHOR)
Muziol, G. (AUTHOR)
Siekacz, M. (AUTHOR)
Skierbiszewski, C. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Optical & Quantum Electronics. Jan2022, Vol. 54 Issue 1, p1-11. 11p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs.

Autorzy:

Hajdel M; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.
Chlipała M; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.
Siekacz M; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.
Turski H; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.
Wolny P; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.
Nowakowski-Szkudlarek K; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.
Feduniewicz-Żmuda A; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.
Skierbiszewski C; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.
Muziol G; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials (Basel, Switzerland) [Materials (Basel)] 2021 Dec 29; Vol. 15 (1). Date of Electronic Publication: 2021 Dec 29.

Typ publikacji:

Journal Article

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy.

Autorzy:

Muziol, G.
Siekacz, M.
Nowakowski-Szkudlarek, K.
Hajdel, M.
Smalc-Koziorowska, J.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Grzanka, E.
Wolny, P.
Turski, H.
Wiśniewski, P.
Perlin, P.
Skierbiszewski, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Mar2019, Vol. 91, p387-391. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Indium incorporation in semipolar [formula omitted] and nonpolar [formula omitted] InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy.

Autorzy:

Sawicka, M.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Kryśko, M.
Turski, H.
Muziol, G.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Skierbiszewski, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Crystal Growth. Feb2017, Vol. 459, p129-134. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Influence of quantum well inhomogeneities on absorption, spontaneous emission, photoluminescence decay time, and lasing in polar InGaN quantum wells emitting in the blue-green spectral region.

Autorzy:

Gladysiewicz, M.
Kudrawiec, R.
Syperek, M.
Misiewicz, J.
Siekacz, M.
Cywinski, G.
Khachapuridze, A.
Suski, T.
Skierbiszewski, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. Jun2014, Vol. 115 Issue 3, p1015-1023. 9p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Waveguide Design for Long Wavelength InGaN Based Laser Diodes.

Autorzy:

MUZIOŻ, G.
TURSKI, H.
SIEKACZ, M.
SAWICKA, M.
WOLNY, P.
CHEZE, C.
CYWIŃSKI, G.
PERLIN, P.
SKIERBISZEWSKI, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Acta Physica Polonica: A. Dec2012, Vol. 122 Issue 6, p1031-1033. 3p. 4 Color Photographs, 1 Chart.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Contactless electroreflectance of GaInN/AlInN multi quantum wells: The issue of broadening of optical transitions

Autorzy:

Kudrawiec, R.
Gladysiewicz, M.
Motyka, M.
Misiewicz, J.
Cywiński, G.
Siekacz, M.
Skierbiszewski, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Microelectronics Journal. Mar2009, Vol. 40 Issue 3, p392-395. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Growth of InGaN and InGaN/InGaN quantum wells by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Autorzy:

Siekacz, M.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Cywiński, G.
Kryśko, M.
Grzegory, I.
Krukowski, S.
Waldrip, K.E.
Jantsch, W.
Wasilewski, Z.R.
Porowski, S.
Skierbiszewski, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Crystal Growth. Aug2008, Vol. 310 Issue 17, p3983-3986. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Role of dislocation-free GaN substrates in the growth of indium containing optoelectronic structures by plasma-assisted MBE

Autorzy:

Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Perlin, P.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Cywiński, G.
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Wasilewski, Z.R.
Porowski, S.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Crystal Growth. Jul2007, Vol. 305 Issue 2, p346-354. 9p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:

Influence of dislocation and ionized impurity scattering on the electron mobility in GaN/AlGaN heterostructures

Autorzy:

Knap, W.
Skierbiszewski, C.
Dybko, K.
Łusakowski, J.
Siekacz, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Crystal Growth. Jul2005, Vol. 281 Issue 1, p194-201. 8p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:

Control of Mg doping of GaN in RF-plasma molecular beam epitaxy

Autorzy:

Feduniewicz, A.
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Wasilewski, Z.R.
Sproule, I.
Grzanka, S.
Jakieła, R.
Borysiuk, J.
Kamler, G.
Litwin-Staszewska, E.
Czernecki, R.
Boćkowski, M.
Porowski, S.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Crystal Growth. May2005, Vol. 278 Issue 1-4, p443-448. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły