- Tytuł:
- Dipole-induced gate leakage reduction in scaled MOSFETs with a highly doped polysilicon/nitrided oxide gate stack
- Autorzy:
- Źródło:
- In Microelectronic Engineering 1 July 2015 142:1-6
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.