Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Splith, Daniel"" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Strain states and relaxation for αx1-x23α23-(Alαx1-x23α23Gaαx1-x23α23)αx1-x23α23Oαx1-x23α23 thin films on prismatic planes of αx1-x23α23-Alαx1-x23α23Oαx1-x23α23 in the full composition range: Fundamental difference of a- and m-epitaxial planes in the manifestation of shear strain and lattice tilt
Autorzy:
Kneiß, MaxAff1, IDs43578021003753_cor1
Splith, Daniel
von Wenckstern, Holger
Lorenz, Michael
Schultz, ThorstenAff2, Aff3
Koch, NorbertAff2, Aff3
Grundmann, Marius
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Materials Research. 36(23):4816-4831
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Correction to: Strain states and relaxation for αx1-x23α23-(Alαx1-x23α23Gaαx1-x23α23)αx1-x23α23Oαx1-x23α23 thin films on prismatic planes of αx1-x23α23-Alαx1-x23α23Oαx1-x23α23 in the full composition range: Fundamental difference of a- and m-epitaxial planes in the manifestation of shear strain and lattice tilt
Autorzy:
Kneiß, MaxAff1, IDs4357802100406z_cor1
Splith, Daniel
von Wenckstern, Holger
Lorenz, Michael
Schultz, ThorstenAff2, Aff3
Koch, NorbertAff2, Aff3
Grundmann, Marius
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Materials Research. 36(23):4865-4865
Czasopismo naukowe
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Realization of Conductive n‐Type Doped α‐Ga2O3 on m‐Plane Sapphire Grown by a Two‐Step Pulsed Laser Deposition Process.
Autorzy:
Vogt, Sofie
Petersen, Clemens
Kneiß, Max
Splith, Daniel
Schultz, Thorsten
von Wenckstern, Holger
Koch, Norbert
Grundmann, Marius
Pokaż więcej
Temat:
PULSED laser deposition
SAPPHIRES
X-ray photoelectron spectroscopy
THIN films
FEMTOSECOND pulses
ELECTRON mobility
LOW temperatures
CHARGE carrier mobility
Źródło:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Feb2023, Vol. 220 Issue 3, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Strain states and relaxation for α-(AlxGa1-x)2O3 thin films on prismatic planes of α-Al2O3 in the full composition range: Fundamental difference of a- and m-epitaxial planes in the manifestation of shear strain and lattice tilt.
Autorzy:
Kneiß, Max
Splith, Daniel
von Wenckstern, Holger
Lorenz, Michael
Schultz, Thorsten
Koch, Norbert
Grundmann, Marius
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Materials Research; Dec2021, Vol. 36 Issue 23, p4816-4831, 16p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies