Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Staszczak, G."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Switching of exciton character in double InGaN/GaN quantum wells.
Autorzy :
Suski, T.
Staszczak, G
Korona, K
LEFEBVRE, Pierre
Monroy, E.
Drozdz, P
Muziol, Grzegorz
Skierbiszewski, C.
Gibasiewicz, K
Perlin, P
Pokaż więcej
Temat :
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Źródło :
International Workshop on Nitride semiconductors - IWN2018.
International Workshop on Nitride semiconductors - IWN2018., Nov 2018, Kanazawa, Japan
Tytuł :
Switching of exciton character in double InGaN/GaN quantum wells.
Autorzy :
Suski, T.
Staszczak, G
Korona, K
LEFEBVRE, Pierre
Monroy, E.
Drozdz, P
Muziol, Grzegorz
Skierbiszewski, C.
Gibasiewicz, K
Perlin, P
Pokaż więcej
Temat :
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Źródło :
International Workshop on Nitride semiconductors - IWN2018.
International Workshop on Nitride semiconductors - IWN2018., Nov 2018, Kanazawa, Japan
Tytuł :
Band gap engineering of In(Ga) N/GaN short period superlattices
Autorzy :
Gorczyca, I.
Suski, T.
Strak, P.
Staszczak, G.
Christensen, N. E.
Pokaż więcej
Temat :
STRAIN
ALLOYS
NITRIDE
STRUCTURAL-PROPERTIES
INN
Condensed Matter::Materials Science
Medicine
PRESSURE
SEMICONDUCTORS
Article
ELECTRONIC-STRUCTURE
Science
PARAMETERS
GROUND-STATE
Źródło :
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-9 (2017)
Gorczyca, I, Suski, T, Strak, P, Staszczak, G & Christensen, N E 2017, ' Band gap engineering of In(Ga) N/GaN short period superlattices ', Scientific Reports, vol. 7, 16055 . https://doi.org/10.1038/s41598-017-16022-z
Opis pliku :
application/pdf
Tytuł :
Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy
Autorzy :
Staszczak, G.
Gorczyca, I.
Grzanka, E.
Smalc-Koziorowska, J.
Targowski, G.
Czernecki, R.
Siekacz, M.
Grzanka, S.
Skierbiszewski, C.
Schulz, T.
Christensen, N. E.
Suski, T.
Pokaż więcej
Temat :
III-nitride semiconductors
band structure
MOVPE
superlattices
LIGHT-EMITTING-DIODES
III-V NITRIDES
QUANTUM-WELLS
ELECTRIC-FIELDS
POLARIZATION
GAINN
Źródło :
Staszczak, G, Gorczyca, I, Grzanka, E, Smalc-Koziorowska, J, Targowski, G, Czernecki, R, Siekacz, M, Grzanka, S, Skierbiszewski, C, Schulz, T, Christensen, N E & Suski, T 2017, ' Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy ', IPPS physica status solidi (b), vol. 254, no. 8, 1600710 . https://doi.org/10.1002/pssb.201600710
Tytuł :
High Temperature Stability of Electrical and Optical Properties of Bulk GaN:Mg Grown by HNPS Method in Different Crystallographic Directions
Autorzy :
Sadovyi, B.
Amilusik, M.
Staszczak, G.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
KONCZEWICZ, Leszek
Tsybulskyi, V.
Panasyuk, M.
Rudyk, V.
Karbovnyk, I.
Kapustianyk, V.
Litwin-staszewska, E.
Piotrzkowski, R.
Pokaż więcej
Temat :
GaN
Electrical properties
Crystal growth
PACS: 71.55.Eq, 72.80.E
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Źródło :
Acta Physica Polonica A, Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 2016, 129 (1A), pp.A126-A128. ⟨10.12693/APhysPolA.129.A-126⟩
Tytuł :
High Temperature Stability of Electrical and Optical Properties of Bulk GaN:Mg Grown by HNPS Method in Different Crystallographic Directions
Autorzy :
Sadovyi, B.
Amilusik, M.
Staszczak, G.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
KONCZEWICZ, Leszek
Tsybulskyi, V.
Panasyuk, M.
Rudyk, V.
Karbovnyk, I.
Kapustianyk, V.
Litwin-staszewska, E.
Piotrzkowski, R.
Pokaż więcej
Temat :
GaN
Electrical properties
PACS: 71.55.Eq, 72.80.E
Condensed Matter::Materials Science
Crystal growth
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Źródło :
Acta Physica Polonica A, Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 2016, 129 (1A), pp.A126-A128. ⟨10.12693/APhysPolA.129.A-126⟩
Tytuł :
Hole carrier concentration and photoluminescence in magnesium doped InGaN and GaN grown on sapphire and GaN misoriented substrates.
Autorzy :
Suski, T.
Staszczak, G.
Grzanka, S.
Czernecki, R.
Litwin-Staszewska, E.
Piotrzkowski, R.
Dmowski, L. H.
Khachapuridze, A.
Kryśko, M.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Pokaż więcej
Temat :
MAGNESIUM
INDIUM
GALLIUM nitride
SUBSTRATES (Materials science)
PHOTOLUMINESCENCE
SAPPHIRES
Źródło :
Journal of Applied Physics; Aug2010, Vol. 108 Issue 2, p023516, 6p, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Short period polar and nonpolar m InN/n GaN superlattices
Autorzy :
Gorczyca, I.
Suski, T.
Staszczak, G.
Wang, X. Q.
Christensen, N. E.
Svane, A.
Dimakis, E.
Moustakas, T. D.
Pokaż więcej
Temat :
Band structu
Nitrides
Photoluminescence
Superlattices
Źródło :
Gorczyca, I, Suski, T, Staszczak, G, Wang, X Q, Christensen, N E, Svane, A, Dimakis, E & Moustakas, T D 2014, ' Short period polar and nonpolar m InN/ n GaN superlattices ', Physica Status Solidi. C: Current Topics in Solid State Physics, vol. 11, no. 3-4, pp. 678–681 . https://doi.org/10.1002/pssc.201300424

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies