Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Stepanov, A. A."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-84 z 84
Tytuł:
Нigh-Speed Interaction of Tungsten-Carbide-Alloy Samples with a Multicomponent Binder with а Steel Striker
Autorzy:
Ishchenko, A. N.
Burkin, V. V.
D’yachkovskii, A. S.
Martsunova, L. S.
Rogaev, K. S.
Sammel, A. Yu.Aff1, IDS1063785021070221_cor6
Sidorov, A. D.
Skosyrskii, A. B.
Stepanov, E. Yu.
Chupashev, A. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. 47(10):714-716
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Defect Structure of α-Ga2O3 Film Grown on a m-face Sapphire Substrate, According to Transmission Electron Microscopy Investigation.
Autorzy:
Myasoedov, A. V.
Pavlov, I. S.
Pechnikov, A. I.
Stepanov, S. I.
Nikolaev, V. I.
Pokaż więcej
Temat:
TRANSMISSION electron microscopy
SAPPHIRES
DISLOCATION loops
DISLOCATION structure
GALLIUM nitride films
DISLOCATION density
EPITAXY
Źródło:
Technical Physics Letters; 2023 Suppl 2, Vol. 49, pS90-S93, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Multilayer AIN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures with quantum wells for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE
Autorzy:
Alekseev, A. N.
Aleksandrov, S. B.
Byrnaz, A. É.
Velikovskiĭ, L. É.
Velikovskiĭ, I. É.
Veretekha, A. V.
Krasovitskiĭ, D. M.
Pavlenko, M. V.
Petrov, S. I.
Pogorel’skiĭ, M. Yu.
Pogorel’skiĭ, Yu. V.
Sokolov, I. A.
Sokolov, M. A.
Stepanov, M. V.
Tkachenko, A. G.
Shkurko, A. P.
Chalyĭ, V. P.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. November 2006 32(11):960-963
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Multilayer AlN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE
Autorzy:
Alekseev, A. N.
Aleksandrov, S. B.
Byrnaz, A. É.
Velikovskii, L. É.
Velikovskii, I. É.
Krasovitskii, D. M.
Pavlenko, M. V.
Petrov, S. I.
Pogorel’skii, Yu. V.
Sokolov, I. A.
Sokolov, M. A.
Stepanov, M. V.
Tkachenko, A. G.
Shkurko, A. P.
Chalyi, V. P.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. October 2005 31(10):864-867
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Multilayer AlN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE on AlN/SiC substrates
Autorzy:
Alekseev, A. N.
Aleksandrov, S. B.
Byrnaz, A. É.
Kokin, S. V.
Krasovitskiĭ, D. M.
Pavlenko, M. V.
Petrov, S. I.
Pogorel’skiĭ, M. Yu.
Pogorel’skiĭ, Yu. V.
Sokolov, I. A.
Sokolov, M. A.
Stepanov, M. V.
Tkachenko, A. G.
Chalyĭ, V. P.
Shkurko, A. P.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. August 2008 34(8):711-713
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Multilayer AlN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE on silicon substrates
Autorzy:
Alekseev, A. N.
Aleksandrov, S. B.
Byrnaz, A. É.
Velikovskiĭ, L. É.
Velikovskiĭ, I. É.
Krasovitskiĭ, D. M.
Pavlenko, M. V.
Petrov, S. I.
Pogorel’skiĭ, M. Yu.
Pogorel’skiĭ, Yu. V.
Sokolov, I. A.
Sokolov, M. A.
Stepanov, M. V.
Tkachenko, A. G.
Shkurko, A. P.
Chalyĭ, V. P.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. April 2008 34(4):300-302
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Effects of Molecular Hydrogen, Water Vapor, and High Vacuum on the Conductivity and Magnetic Properties of Lanthanum–Calcium Manganite in the 78–300 K Temperature Range.
Autorzy:
Baıkov, Yu. M.
Nikulin, E. I.
Melekh, B. A.-T.
Stepanov, Yu. P.
Filin, Yu. N.
Pokaż więcej
Temat:
MAGNETIC fields
MAGNETORESISTANCE
Źródło:
Technical Physics Letters; Jun2000, Vol. 26 Issue 6, p523, 3p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-84 z 84

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies