- Tytuł:
- Layer- and gate-tunable spin-orbit coupling in a high-mobility few-layer semiconductor.
- Autorzy:
- Źródło:
- Science Advances. 1/27/2021, Vol. 7 Issue 5, p1-6. 6p.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.