Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Swerts J"" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Scaled X-bar TiN/HfO2/TiN RRAM cells processed with optimized plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) for TiN electrode
Autorzy:
Chen, Y.Y.
Goux, L.
Pantisano, L.
Swerts, J.
Adelmann, C.
Mertens, S.
Afanasiev, V.V.
Wang, X.P.
Govoreanu, B.
Degraeve, R.
Kubicek, S.
Paraschiv, V.
Verbrugge, B.
Jossart, N.
Altimime, L.
Jurczak, M.
Kittl, J.
Groeseneken, G.
Wouters, D.J.
Pokaż więcej
Źródło:
In Microelectronic Engineering December 2013 112:92-96
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies