Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""THRESHOLD voltage"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 42
Tytuł:
Program Start Bias Grouping to Compensate for the Geometric Property of a String in 3-D NAND Flash Memory
Autorzy:
Sungju Kim
Sangmin Ahn
Sechun Park
Jongwoo Kim
Hyungcheol Shin
Pokaż więcej
Temat:
3-D NAND flash
critical dimension (CD)
geometrical property
threshold voltage (Vth) distribution
word line (WL) grouping
start bias (Vstart)
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 262-267 (2024)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/10459337/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/3ac473348c1947a5902ca62e32f26d53  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Stability of GaN HEMT Device Under Static and Dynamic Gate Stress
Autorzy:
Linfei Gao
Ze Zhong
Qiyan Zhang
Xiaohua Li
Xinbo Xiong
Shaojun Chen
Longkou Chen
Huaibao Yan
Anle Zhang
Jiajun Han
Wenrong Zhuang
Feng Qiu
Hsien-Chin Chiu
Shuangwu Huang
Xinke Liu
Pokaż więcej
Temat:
p-GaN HEMT
pulse I-V
positive bias temperature instability (PBTI)
threshold voltage
Stability
mechanism
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 165-169 (2024)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/10422723/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/c8b7c641924545828805336a5265d962  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
A New Pixel Circuit for Micro-Light Emitting Diode Displays With Pulse Hybrid Modulation Driving and Compensation
Autorzy:
Juncheng Xiao
Wenxue Huo
Dong Yuan
Ce Liang
Guhuang Lai
Ji Li
Hongyuan Xu
Shan Li
Shengdong Zhang
Pokaż więcej
Temat:
Micro- LED (MLED)
pulse hybrid modulation (PHM)
threshold voltage (VTH) shift
compensation
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 1-6 (2024)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/10329932/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/33707713872e468eb2eb16e427142b50  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Cryogenic Body Bias Effect in DRAM Peripheral and Buried-Channel-Array Transistor for Quantum Computing Applications
Autorzy:
Hyunseo You
Kihoon Nam
Jehyun An
Chanyang Park
Donghyun Kim
Seonhaeng Lee
Namhyun Lee
Rock-Hyun Baek
Pokaż więcej
Temat:
Buried-channel-array transistor (BCAT)
cryogenic
drain-induced barrier lowering (DIBL)
forward body bias
hot-carrier degradation
threshold voltage
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Access, Vol 12, Pp 10988-10994 (2024)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/10398173/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/0d98260d7f88492fb8965b2bee05a9ea  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Energy-Performance Optimization via P/N Ratio Sizing With Full Diffusion Layout Structure and Standard Cell Height Tuning in Near-Threshold Voltage Operation
Autorzy:
Yang Wei Lim
Noor Ain Kamsani
Roslina Mohd Sidek
Shaiful Jahari Hashim
Fakhrul Zaman Rokhani
Pokaż więcej
Temat:
CMOS digital integrated circuit
energy efficiency
near-threshold voltage
P/N ratio optimization
standard cell height
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Access, Vol 11, Pp 12536-12546 (2023)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9994729/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/42c45d80e3174ebfa249ea242fa2780b  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
AM Mini-LED Backlight Driving Circuit Using PWM Method With Power-Saving Mechanism
Autorzy:
Chih-Lung Lin
Yi-Chien Chen
Jui-Hung Chang
Yu-Sheng Lin
Sung-Chun Chen
Ming-Hsien Lee
Chun-Yen Chang
Pokaż więcej
Temat:
Liquid crystal display (LCD)
low-temperature poly-crystalline silicon (LTPS)
minilight-emitting diode (mini-LED)
power consumption
pulse width modulation (PWM)
threshold voltage (VTH)
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 256-262 (2022)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9736139/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/8100b54e754940bea681fe819b8fca15  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Hf-Based and Zr-Based Charge Trapping Layer Engineering for E-Mode GaN MIS-HEMT Using Ferroelectric Charge Trap Gate Stack
Autorzy:
Jui-Sheng Wu
Chih-Chieh Lee
Chia-Hsun Wu
Cheng-Jun Huang
Yan-Kui Liang
You-Chen Weng
Edward Yi Chang
Pokaż więcej
Temat:
AlGaN/GaN
metal-insulator-semiconductor (MIS)-HEMT
enhancement-mode
charge trap gate stack
threshold voltage stability
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 525-531 (2022)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9815223/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/f3a4607ba5154f818ba8962e4aac7995  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Extremely-Low Threshold Voltage FinFET for 5G mmWave Applications
Autorzy:
A. Razavieh
Y. Chen
T. Ethirajan
M. Gu
S. Cimino
T. Shimizu
M. K. Hassan
T. Morshed
J. Singh
W. Zheng
V. Mahajan
H. T. Wang
T. H. Lee
Pokaż więcej
Temat:
FinFET
extremely-low threshold voltage
radio frequency
5G
RF
mmwave
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 165-169 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9305263/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/7ac398c49dd4411ab859bb6510aa0707  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Work-Function Fluctuation of Gate-All-Around Silicon Nanowire n-MOSFETs: A Unified Comparison Between Cuboid and Voronoi Methods
Autorzy:
Wen-Li Sung
Ya-Shu Yang
Yiming Li
Pokaż więcej
Temat:
Work-function fluctuation
cuboid
Voronoi
gate-all-around
threshold voltage
sample size
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 151-159 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9305254/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/ce80924f06ff4197acfc0dc44343c15f  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Does the Threshold Voltage Extraction Method Affect Device Variability?
Autorzy:
Gabriel Espineira
Antonio J. Garcia-Loureiro
Natalia Seoane
Pokaż więcej
Temat:
Threshold voltage
figures of merit
nanowires
device variability
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 469-475 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9300219/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/2c8d9fa3f5d749119a32eb57395a7c4a  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Analysis of the Electrical Parameters of SOI Junctionless Nanowire Transistors at High Temperatures
Autorzy:
Thales Augusto Ribeiro
Sylvain Barraud
Marcelo Antonio Pavanello
Pokaż więcej
Temat:
Threshold voltage
subthreshold slope
carrier mobility
high temperature
junctionless
nanowires
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 492-499 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9321370/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/571b117f50df4891b0c1000a886fe711  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Hydrogenated n-Channel Low Temperature Polycrystalline Silicon TFTs as Ultraviolet Dosimeters
Autorzy:
Hong Cheng
Juncheng Xiao
Xinnan Lin
Pokaż więcej
Temat:
Ultraviolet radiation
hydrogenated LTPS-TFTs
threshold voltage
UV dosimeters
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 599-605 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9444331/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/10d3419952814bcf9352fbfbb1613e2a  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Influence of the Acceptor-Type Trap on the Threshold Voltage of the Short-Channel GaN MOS-HEMT
Autorzy:
Yijun Shi
Wanjun Chen
Zhiwei Fu
Si Chen
Bo Zhang
Pokaż więcej
Temat:
GaN MOS-HEMT
short-channel effect threshold voltage
acceptor-type trap
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 606-611 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9446477/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/8f70888d3fbe4004be4014152208746b  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Lifetime Reliability Improvement of Nano-Scale Digital Circuits Using Dual Threshold Voltage Assignment
Autorzy:
Mohsen Raji
Reza Mahmoudi
Behnam Ghavami
Saeed Keshavarzi
Pokaż więcej
Temat:
Combinational circuits
dual threshold voltage assignment
optimization
lifetime reliability
process variations
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Access, Vol 9, Pp 114120-114134 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9509021/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/ecd619139f194e71a379548ae5664fe8  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Effect of the Blocking Oxide Layer With Asymmetric Taper Angles in 3-D NAND Flash Memories
Autorzy:
Jun Gyu Lee
Woo Je Jung
Jae Hyeon Park
Keon-Ho Yoo
Tae Whan Kim
Pokaż więcej
Temat:
3-D NAND flash memories
threshold voltage shift
tapered channel
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 774-777 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9514533/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/a1a9647c76454fd59b40692845d9f28f  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Modifying Threshold Voltages to n- and p- Type FinFETs by Work Function Metal Stacks
Autorzy:
Wen-Teng Chang
Meng-His Li
Chun-Hao Hsu
Wen-Chin Lin
Wen-Kuan Yeh
Pokaż więcej
Temat:
Work function metal
threshold voltage tuning
energy-dispersive X-ray spectroscopy
FinFETs
reliability
Chemical technology
TP1-1185
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Open Journal of Nanotechnology, Vol 2, Pp 72-77 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9528922/; https://doaj.org/toc/2644-1292
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/1891743a4eaa498f96f6e993d8118506  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Effect of Statistical Dopant Fluctuations on Threshold Voltage of Emerging Devices
Autorzy:
Samar K. Saha
Pokaż więcej
Temat:
Buried-halo
discrete-dopants
emerging transistors
field-effect transistors
threshold voltage
mismatch
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 985-994 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9577207/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/b7d733ee27cd4a4eb7ba23fdee14c076  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
A Novel Real-Time TFT Threshold Voltage Compensation Method for AM-OLED Using Double Sampling of Source Node Voltage
Autorzy:
Kyeong-Soo Kang
Jin-Kyu Lee
Ji-Min Kang
Soo-Yeon Lee
Pokaż więcej
Temat:
OLED
threshold voltage
compensation
real-time
JND
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 311-317 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9352027/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/8b4119c78f4040de89fb11e306cdd017  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
A Nanosized-Metal-Grain Pattern-Dependent Threshold Voltage Model for the Work Function Fluctuation of GAA Si NW MOSFETs
Autorzy:
Wen-Li Sung
Yiming Li
Pokaż więcej
Temat:
Work function fluctuation
gate-all-around
nanowire
MOSFETs
threshold voltage
variability
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Access, Vol 9, Pp 168613-168623 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9661402/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/b9ecad6a4e004cd6a27bf88ff06c2723  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Characterization of Programmable Charge-Trap Transistors (CTTs) in Standard 28-nm CMOS for Nonvolatile Memory and Analog Arithmetic Applications
Autorzy:
Yuan Du
Li Du
Wuyu Fan
Yang Xiao
Mau-Chung Frank Chang
Pokaż więcej
Temat:
Analog arithmetic unit (AAU)
charge trapping/detrapping
charge-trap transistor (CTT)
nonvolatile memory (NVM)
programmable threshold voltage
Computer engineering. Computer hardware
TK7885-7895
Źródło:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 7, Iss 1, Pp 10-17 (2021)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9490647/; https://doaj.org/toc/2329-9231
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/8524f98b092540a9a41eab1b44804d88  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 42

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies