Temat: "THRESHOLD voltage" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Design and Analysis of Nanosheet Field-Effect Transistor for High-Speed Switching Applications.
Autorzy:: Kumar, Ravi (AUTHOR)
Kumar, E. Sathish (AUTHOR)
Vijayalakshmi, S. (AUTHOR)
Prasad, Dumpa (AUTHOR)
Mohamedyaseen, A. (AUTHOR)
Choubey, Shruti Bhargava (AUTHOR)
Vignesh, N. Arun (AUTHOR)
Johnson Santhosh, A. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Nanomaterials. 7/24/2023, p1-7. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Optimization of 14nm Horizontal Double Gate for Optimum Threshold Voltage Using L9 Taguchi Method.
Autorzy:: Nizam, N. H. N. M.
A. H., Afifah Maheran
Salehuddin, F.
Kaharudin, K. E.
Z. A., Noor Faizah; Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Nanoelectronics & Materials. 2022 Special issue, Vol. 15, p255-265. 11p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Comparison Analysis of Radiation Effects on 1.2 kV SiC Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Gamma-Ray and Proton Irradiation.
Autorzy:: Kim, Chaeyun
Yoon, Hyowon
Kim, Dong-Seok
Seok, Ogyun; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
RADIATION
BREAKDOWN voltage
PROTONS
IRRADIATION
THRESHOLD voltage
Źródło:: Electronics (2079-9292); Apr2024, Vol. 13 Issue 7, p1352, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: 4H-SiC/SiO 2 Interface Degradation in 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs Due to Power Cycling Tests.
Autorzy:: Yoo, Dahui
Kim, MiJin
Kang, Inho
Lee, Ho-Jun; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
ELECTRON energy loss spectroscopy
FIELD-effect transistors
TRANSMISSION electron microscopy
THRESHOLD voltage
Źródło:: Electronics (2079-9292); Apr2024, Vol. 13 Issue 7, p1267, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Modulating p-type doping of two dimensional material palladium diselenide.
Autorzy:: Yang, Jiali
Liu, Yu
Wang, En-Yang
Pang, Jinbo
Huang, Shirong
Gemming, Thomas
Bi, Jinshun
Bachmatiuk, Alicja
Jia, Hao
Hu, Shu-Xian
Jiang, Chongyun
Liu, Hong
Cuniberti, Gianaurelio
Zhou, Weijia
Rümmeli, Mark H.; Pokaż więcej
Temat:: THRESHOLD voltage
PALLADIUM
LEWIS acids
PRECIOUS metals
SEMICONDUCTOR technology
Źródło:: Nano Research; Apr2024, Vol. 17 Issue 4, p3232-3244, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Investigation of a Gate Stack Gate-All-Around Junctionless Nanowire Field-Effect Transistor for Oxygen Gas Sensing.
Autorzy:: Chaujar, Rishu
Yirak, Mekonnen Getnet; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
THRESHOLD voltage
NANOWIRES
OXYGEN detectors
GAS detectors
METALWORK
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Apr2024, Vol. 53 Issue 4, p2191-2201, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: The Effect of Low-Temperature Annealing on the Electrical Characteristics of Carbon Nanotube Network Field-Effect Transistors.
Autorzy:: Altuntas, Halit
Oke-Altuntas, Feyza
Silva, S. R. P.; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
CARBON nanotubes
ANNEALING of metals
THRESHOLD voltage
TRANSISTORS
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
HYSTERESIS
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Apr2024, Vol. 53 Issue 4, p2104-2114, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Dielectric multilayers impact on radiation-induced charge accumulation in highly sensitive oxide field effect transistors.
Autorzy:: Bordoni, Camilla
Ciavatti, Andrea
Cortinhal, Mariana
Pereira, Maria
Cramer, Tobias
Barquinha, Pedro
Fraboni, Beatrice; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
SOLID state detectors
DIELECTRICS
ATOMIC layer deposition
X-rays
THRESHOLD voltage
TRANSISTORS
Źródło:: APL Materials; Mar2024, Vol. 12 Issue 3, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Nanoscale Reconfigurable Si Transistors: From Wires to Sheets and Unto Multi‐Wire Channels.
Autorzy:: Wind, Lukas
Behrle, Raphael
den Hertog, Martien I.
Murphey, Corban G. E.
Cahoon, James F.
Sistani, Masiar
Weber, Walter M.; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
SEQUENTIAL circuits
COMBINATIONAL circuits
THRESHOLD voltage
AUTODIDACTICISM
Źródło:: Advanced Electronic Materials; Feb2024, Vol. 10 Issue 2, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Solution-Induced Degradation of the Silicon Nanobelt Field-Effect Transistor Biosensors.
Autorzy:: Lin, Jung-Chih
Zhou, Zhao-Yu
Cheng, Yi-Ching
Chang, I-Nan
Lin, Chu-En
Wu, Chi-Chang; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
BIOSENSORS
SECONDARY ion mass spectrometry
BUFFER solutions
SILICON
THRESHOLD voltage
POTASSIUM
Źródło:: Biosensors (2079-6374); Feb2024, Vol. 14 Issue 2, p65, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Surface Potential Modeling of DG SOI MoS2 FET (MFET) and Gate Misalignment Effect Analysis Therein.
Autorzy:: Dwivedi, A. K. (AUTHOR)
Baliyan, T. (AUTHOR)
Tripathi, S. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Sep2021, Vol. 55 Issue 9, p717-725. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Voltage over‐scaling CNT‐based 8‐bit multiplier by high‐efficient GDI‐based counters.
Autorzy:: Sadeghi, Ayoub (AUTHOR)
Shiri, Nabiollah (AUTHOR)
Rafiee, Mahmood (AUTHOR)
Darabi, Abdolreza (AUTHOR)
Abiri, Ebrahim (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: IET Computers & Digital Techniques (Wiley-Blackwell). Jan2023, Vol. 17 Issue 1, p1-19. 19p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Simulation for a low-energy ternary multiplier cell based on Graphene nanoribbon field-effect transistor.
Autorzy:: Rohani, Zahra
Emrani Zarandi, Azadeh Alsadat; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
SIMULATION Program with Integrated Circuit Emphasis
GRAPHENE
THRESHOLD voltage
Źródło:: International Journal of Nano Dimension; Winter2024, Vol. 15 Issue 1, p49-62, 14p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Design of Ternary Logic Circuits Using GNRFET and RRAM.
Autorzy:: Basha, Shaik Javid
Venkatramana, P.; Pokaż więcej
Temat:: LOGIC circuit design
NONVOLATILE random-access memory
FIELD-effect transistors
LOGIC circuits
THRESHOLD voltage
CARBON nanotubes
Źródło:: Circuits, Systems & Signal Processing; Dec2023, Vol. 42 Issue 12, p7335-7356, 22p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Fast Methods for Studying the Effect of Electrical Stress on SiO2 Dielectrics in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors.
Autorzy:: Messaoud, Dhia Elhak
Djezzar, Boualem
Boubaaya, Mohamed
Chenouf, Amel
Benabdelmoumene, Abdelmadjid
Zatout, Boumediene
Zitouni, Abdelkader; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
FIELD-effect transistors
DIELECTRIC devices
DIELECTRICS
THRESHOLD voltage
FIELD-effect devices
Źródło:: Instruments & Experimental Techniques; Dec2023, Vol. 66 Issue 6, p1095-1105, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Investigation of palladium gated polarity controllable FET as a highly sensitive and robust hydrogen gas sensor.
Autorzy:: Pandey, Priyanka
Kaur, Harsupreet; Pokaż więcej
Temat:: HYDROGEN detectors
GAS detectors
PALLADIUM
FIELD-effect transistors
THRESHOLD voltage
Źródło:: International Journal of Numerical Modelling; Nov2023, Vol. 36 Issue 6, p1-13, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Analytical investigation of a triple surrounding gate germanium source metal–oxide–semiconductor field‐effect transistor with step graded channel for biosensing applications.
Autorzy:: Das, Amit
Rewari, Sonam
Kanaujia, Binod Kumar
Deswal, S. S.
Gupta, R. S.; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
FIELD-effect transistors
POISSON'S equation
GERMANIUM
THRESHOLD voltage
ELECTRIC fields
Źródło:: International Journal of Numerical Modelling; Nov2023, Vol. 36 Issue 6, p1-25, 25p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Performance Analysis of MoTe2/MoSe2 and MoTe2/WSe2 Heterostructure Double-Gate MOSFET.
Autorzy:: Manjula, M. Muthu
Ramesh, R.; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
THIN film transistors
PINK noise
FIELD-effect transistors
DENSITY functional theory
THRESHOLD voltage
WHITE noise
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Nov2023, Vol. 52 Issue 11, p7694-7707, 14p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Representation of a nanoscale heterostructure dual material gate JL-FET with NDR characteristics.
Autorzy:: Golafzani, Amirreza Bozorgi
Sedigh Ziabari, Seyed Ali; Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Nano Dimension. Winter2020, Vol. 11 Issue 1, p12-17. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Fluorine-Based Low-Damage Selective Etching Process for E-Mode p-GaN/AlGaN/GaN HFET Fabrication.
Autorzy:: Kim, Hyeon-Ji
Yim, Jun-Hyeok
Kim, Hyungtak
Cha, Ho-Young; Pokaż więcej
Temat:: BREAKDOWN voltage
ETCHING
GALLIUM nitride
GAS mixtures
THRESHOLD voltage
FIELD-effect transistors
CURRENT-voltage characteristics
Źródło:: Electronics (2079-9292); Oct2023, Vol. 12 Issue 20, p4347, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""THRESHOLD voltage"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji