Temat: "THRESHOLD voltage" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Double-gate structure enabling remote Coulomb scattering-free transport in atomic-layer-deposited IGO thin-film transistors with HfO2 gate dielectric through insertion of SiO2 interlayer.
Autorzy:: Choi, Cheol Hee (AUTHOR)
Kim, Taikyu (AUTHOR)
Kim, Min Jae (AUTHOR)
Kim, Gwang-Bok (AUTHOR)
Oh, Jeong Eun (AUTHOR)
Jeong, Jae Kyeong (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 4/1/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-11. 11p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Charge transfer and transport properties in PCDTBT/p-nitrobenzylinemalononitrile composite for photovoltaic application.
Autorzy:: Azzaz, Souhir (AUTHOR)
Aloui, Walid (AUTHOR)
Hannachi, Riadh (AUTHOR)
Bouazizi, Abdelaziz (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of Materials Science. Mar2024, Vol. 47 Issue 1, p1-5. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Influence of NF 3 Plasma-Treated HfO 2 Gate Insulator Surface on Tin Oxide Thin-Film Transistors.
Autorzy:: Avis, Christophe (AUTHOR)
Jang, Jin (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Nov2023, Vol. 16 Issue 22, p7172. 14p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Single event transient of SOI FinFET with total ionizing dose irradiation.
Autorzy:: Baojun Liu
Ping Zhou
Liang Qian; Pokaż więcej
Źródło:: Vibroengineering Procedia. Oct2023, Vol. 51, p76-81. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Minimization of the threshold voltage parameter of the co-doped ZnO doped liquid crystals by machine learning algorithms.
Autorzy:: Önsal, Gülnur (AUTHOR)
Uğurlu, Onur (AUTHOR)
Kaynar, Ümit H. (AUTHOR)
Türsel Eliiyi, Deniz (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 8/7/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-14. 14p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Design and Analysis of Nanosheet Field-Effect Transistor for High-Speed Switching Applications.
Autorzy:: Kumar, Ravi (AUTHOR)
Kumar, E. Sathish (AUTHOR)
Vijayalakshmi, S. (AUTHOR)
Prasad, Dumpa (AUTHOR)
Mohamedyaseen, A. (AUTHOR)
Choubey, Shruti Bhargava (AUTHOR)
Vignesh, N. Arun (AUTHOR)
Johnson Santhosh, A. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Nanomaterials. 7/24/2023, p1-7. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Decision Levels and Resolution for Low-Power Winner-Take-All Circuit †.
Autorzy:: Costea, Ruxandra L. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Sensors (14248220). Jul2023, Vol. 23 Issue 14, p6247. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Variable Amplitude Gate Voltage Synchronous Drive Technique for Improving Dynamic Current Balancing in Paralleled IGBTs.
Autorzy:: Zhang, Junkun (AUTHOR)
Lei, Ertao (AUTHOR)
Jin, Li (AUTHOR)
Ma, Kai (AUTHOR)
Li, Ying (AUTHOR)
Li, Xinwei (AUTHOR)
Xia, Chenyang (AUTHOR)
Wang, Xirui (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Jul2023, Vol. 16 Issue 14, p5306. 19p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Nanographene‐Based Heterojunctions for High‐Performance Organic Phototransistor Memory Devices.
Autorzy:: Bai, Shaoling (AUTHOR)
Yang, Lin (AUTHOR)
Haase, Katherina (AUTHOR)
Wolansky, Jakob (AUTHOR)
Zhang, Zongbao (AUTHOR)
Tseng, Hsin (AUTHOR)
Talnack, Felix (AUTHOR)
Kress, Joshua (AUTHOR)
Andrade, Jonathan Perez (AUTHOR)
Benduhn, Johannes (AUTHOR)
Ma, Ji (AUTHOR)
Feng, Xinliang (AUTHOR)
Hambsch, Mike (AUTHOR)
Mannsfeld, Stefan C. B. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Advanced Science. 5/26/2023, Vol. 10 Issue 15, p1-12. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Threshold-Voltage Extraction Methods for Atomically Deposited Disordered ZnO Thin-Film Transistors.
Autorzy:: Yoon, Minho (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Apr2023, Vol. 16 Issue 8, p2940. 10p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Structure and Technological Parameters' Effect on MISFET-Based Hydrogen Sensors' Characteristics.
Autorzy:: Podlepetsky, Boris (AUTHOR)
Samotaev, Nikolay (AUTHOR)
Etrekova, Maya (AUTHOR)
Litvinov, Artur (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Sensors (14248220). Mar2023, Vol. 23 Issue 6, p3273. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: The Effect of Gate Geometric Effect and Polysilicon Doping on the Performance of Scaled NMOS.
Autorzy:: Kamarudin, M. L. N. H.
Rahim, A. F. Abd
Razali, N. S. Mohd
Radzali, R.
Mahmood, A.
Hamzah, I. H.
Idris, M.
Mohamed, M. F. Packeer; Pokaż więcej
Źródło:: ESTEEM. Mar2023, Vol. 19, p28-42. 15p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Highly Reliable Ovonic Threshold Switch with TiN/GeTe/TiN Structure.
Autorzy:: Seong, Dongjun (AUTHOR)
Lee, Su Yeon (AUTHOR)
Seo, Hyun Kyu (AUTHOR)
Kim, Jong-Woo (AUTHOR)
Park, Minsoo (AUTHOR)
Yang, Min Kyu (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Mar2023, Vol. 16 Issue 5, p2066. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Design and Analysis of a Fluid-Filled RF MEMS Switch.
Autorzy:: Zhu, Hongyu (AUTHOR)
Cui, Wenhao (AUTHOR)
Li, Yanzhang (AUTHOR)
Song, Mingxin (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Sensors (14248220). Mar2023, Vol. 23 Issue 5, p2692. 14p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: New 'kids' on the voltage‐gated proton channel block.
Autorzy:: Korpos, Éva (AUTHOR)
Papp, Ferenc (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: FEBS Journal. Feb2023, Vol. 290 Issue 4, p970-973. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Threshold Voltage Extraction Using Conductance–Voltage Method for Nano‐Organic/Oxide Thin‐Film Transistors: Comparative Study of P‐ and N‐Type Devices.
Autorzy:: Pream Krishna, Illa (AUTHOR)
Agarwal, Rajesh (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Mar2024, Vol. 221 Issue 6, p1-11. 11p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: An Extended Temperature Model Based on the Trapping Effect for Drain‐Source Current in GaN HEMTs.
Autorzy:: Wu, Wenwei (AUTHOR)
Yao, Ruohe (AUTHOR)
Liu, Yurong (AUTHOR)
Geng, Kuiwei (AUTHOR)
Zhu, Yingbin (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Mar2024, Vol. 221 Issue 6, p1-10. 10p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Taguchi Method for p-MOS Threshold Voltage Optimization with a Gate Length of 22nm.
Autorzy:: Yahaya, Izwanizam
Maheran, A. H. Afifah
Salehuddin, F.
Kaharudin, K. E.; Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Nanoelectronics & Materials. Jan2023, Vol. 16 Issue 1, p1-9. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: A Unified Current-Voltage Model for Metal Oxide-Based Resistive Random-Access Memory.
Autorzy:: Chung, Harry (AUTHOR)
Shin, Hyungsoon (AUTHOR)
Park, Jisun (AUTHOR)
Sun, Wookyung (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Jan2023, Vol. 16 Issue 1, p182. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: A novel n-type semiconducting biomaterial.
Autorzy:: Fukuhara, Mikio (AUTHOR)
Yokotsuka, Tomonori (AUTHOR)
Hashida, Toshiyuki (AUTHOR)
Ogawa, Fumio (AUTHOR)
Sakamoto, Tadashi (AUTHOR)
Takeda, Mitsuhiro (AUTHOR)
Arai, Susumu (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 12/19/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-6. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""THRESHOLD voltage"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji