Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""TUNNEL junctions \(Materials science\)"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Proposal for energy efficient spin transfer torque-magnetoresistive random access memory device.
Autorzy :
Sharma, Abhishek
Tulapurkar, Ashwin A.
Muralidharan, Bhaskaran
Pokaż więcej
Temat :
RANDOM access memory
COMPUTER storage devices
MAGNETIC tunnelling
SPIN valves
ANTIREFLECTIVE coatings
TUNNEL junctions (Materials science)
GREEN'S functions
TUNNEL magnetoresistance
Źródło :
Journal of Applied Physics; 6/21/2021, Vol. 129 Issue 23, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Computational investigation of half-Heusler/MgO magnetic tunnel junctions with (001) orientation.
Autorzy :
Ma, Jianhua
Xie, Yunkun
Munira, Kamaram
Ghosh, Avik W.
Butler, William H.
Pokaż więcej
Temat :
MAGNETIC tunnelling
SPIN transfer torque
RANDOM access memory
PERPENDICULAR magnetic anisotropy
TUNNEL junctions (Materials science)
COMPUTER storage devices
MAGNETIC properties
Źródło :
Journal of Applied Physics; 6/14/2021, Vol. 129 Issue 22, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Enhanced tunnel magnetoresistance in Mn-based perpendicular magnetic tunnel junctions utilizing antiferromagnetically coupled bcc-Co-based interlayer.
Autorzy :
Suzuki, Kazuya Z.
Ichinose, Tomohiro
Iihama, Satoshi
Monma, Ren
Mizukami, Shigemi
Pokaż więcej
Temat :
TUNNEL magnetoresistance
MAGNETIC tunnelling
ENHANCED magnetoresistance
BINARY metallic systems
BLOCH waves
TUNNEL junctions (Materials science)
Źródło :
Applied Physics Letters; 5/7/2021, Vol. 118 Issue 17, p1-5, 5p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of Triple Material on Performance Study of Double Gate PiN Tunneling Graphene Nanoribbon FET for Low Power Logic Applications.
Autorzy :
Dutta, Ritam
Paitya, Nitai
Pokaż więcej
Temat :
FIELD-effect transistors
TUNNEL field-effect transistors
TUNNEL design & construction
TUNNELS
SURFACE potential
TUNNEL junctions (Materials science)
QUANTUM tunneling composites
Alternatywny tytuł :
Вплив потрійного матеріалу на дослідження продуктивності тунельного польового транзистора з графенових нанострічок PiN FET з подвійним затвором для додатків низькопотужної логіки. (Ukrainian)
Źródło :
Journal of Nano- & Electronic Physics; 2021, Vol. 13 Issue 3, p03020-1-03020-4, 4p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies