Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Takakura, K."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Impact of electrical stress on the electrical characteristics of 2 MeV electron irradiated metal-oxide-silicon capacitors with atomic layer deposited Al2O3, HfO2 and nanolaminated dielectrics
Autorzy :
Rafí, J.M.
Pokaż więcej
Źródło :
In Solid State Electronics November 2013 89:198-206
Czasopismo naukowe
Tytuł :
2 MeV electron irradiation effects on the electrical characteristics of MOS capacitors with ALD Al2O3 dielectrics of different thickness
Autorzy :
Rafí, J.M.
Pokaż więcej
Źródło :
In European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Microelectronics Reliability September-November 2013 53(9-11):1333-1337
Czasopismo naukowe
Tytuł :
2 MeV electron irradiation effects on the electrical characteristics of metal–oxide–silicon capacitors with atomic layer deposited Al2O3, HfO2 and nanolaminated dielectrics
Autorzy :
Rafí, J.M.
Pokaż więcej
Źródło :
In Solid State Electronics January 2013 79:65-74
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Radiation damage of Si1-xGex S/D p-type metal oxide semiconductor field effect transistor with different Ge concentrations
Autorzy :
Nakashima, T.
Pokaż więcej
Źródło :
In ICSI-7, Thin Solid Films 1 February 2012 520(8):3337-3340
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Optical and electrical properties of electron-irradiated Cu(In,Ga)Se 2 solar cells
Autorzy :
Hirose, Y.
Pokaż więcej
Źródło :
In Proceedings of the EMRS 2010 Spring Meeting Symposium M: Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials, Thin Solid Films 2011 519(21):7321-7323
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Device performance of p-Ge MOSFETs at liquid nitrogen temperature
Autorzy :
Ohyama, H.
Pokaż więcej
Źródło :
In Proceedings of the EMRS 2009 Spring Meeting Symposium I: Silicon and germanium issues for future CMOS devices, Thin Solid Films 2010 518(9):2513-2516
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effects of electron irradiation on SiGe devices
Autorzy :
Ohyama, H.
Pokaż więcej
Źródło :
In Proceedings of the EMRS 2009 Spring Meeting Symposium I: Silicon and germanium issues for future CMOS devices, Thin Solid Films 2010 518(9):2517-2520
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Network-based gene expression analysis of intracranial aneurysm tissue reveals role of antigen presenting cells
Autorzy :
Krischek, B.
Pokaż więcej
Źródło :
In Neuroscience 17 July 2008 154(4):1398-1407
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies