Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Tan, H. H."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
On the origin of dislocation generation and annihilation in α-Ga2O3 epilayers on sapphire.
Autorzy :
Ma, T. C.
Chen, X. H.
Kuang, Y.
Li, L.
Li, J.
Kremer, F.
Ren, F.-F.
Gu, S. L.
Zhang, R.
Zheng, Y. D.
Tan, H. H.
Jagadish, C.
Ye, J. D.
Pokaż więcej
Temat :
EDGE dislocations
SCREW dislocations
TRANSMISSION electron microscopy
THICK films
DISLOCATION density
SAPPHIRES
Źródło :
Applied Physics Letters; 10/28/2019, Vol. 115 Issue 18, pN.PAG-N.PAG, 5p, 1 Diagram, 3 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies