Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Teherani, James T."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Damage-Free Atomic Layer Etch of WSe2: A Platform for Fabricating Clean Two-Dimensional Devices.
Autorzy :
Nipane, Ankur
Choi, Min Sup
Sebastian, Punnu Jose
Yao, Kaiyuan
Borah, Abhinandan
Deshmukh, Prathmesh
Jung, Younghun
Kim, Bumho
Rajendran, Anjaly
Kwock, Kevin W. C.
Zangiabadi, Amirali
Menon, Vinod M.
Schuck, P. James
Yoo, Won Jong
Hone, James
Teherani, James T.
Pokaż więcej
Źródło :
ACS Applied Materials & Interfaces; 1/13/2021, Vol. 13 Issue 1, p1930-1942, 13p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Auger generation as an intrinsic limit to tunneling field-effect transistor performance.
Autorzy :
Teherani, James T.
Agarwal, Sapan
Chern, Winston
Solomon, Paul M.
Yablonovitch, Eli
Antoniadis, Dimitri A.
Pokaż więcej
Temat :
AUGER electrons
AUGER electron yield
TUNNELING (Physics)
ELECTRON tunneling
ELECTRONIC equipment
MICROELECTRONICS
TRANSISTORS
Źródło :
Journal of Applied Physics; 8/28/2016, Vol. 120 Issue 8, p084507-1-084507-15, 15p, 3 Diagrams, 4 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies