Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Tereshchenko, O. E."" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Optimization of the Buffer Dielectric Layer for the Creation of Low-Defect Epitaxial Films of the Topological Insulator Pb1–xSnxTe with x ≥ 0.4
Autorzy:
Kaveev, A. K.Aff1, IDS1063782623070114_cor1
Tereshchenko, O. E.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. 57(5):235-238
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Build-up and dephasing of Floquet–Bloch bands on subcycle timescales
Autorzy:
Ito, S.
Schüler, M.Aff2, Aff3
Meierhofer, M.
Schlauderer, S.
Freudenstein, J.
Reimann, J.
Afanasiev, D.
Kokh, K. A.
Tereshchenko, O. E.
Güdde, J.
Sentef, M. A.Aff6, IDs4158602305850x_cor11
Höfer, U.Aff1, Aff4, IDs4158602305850x_cor12
Huber, R.Aff4, IDs4158602305850x_cor13
Pokaż więcej
Źródło:
Nature: International weekly journal of science. 616(7958):696-701
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Mixed Type of the Magnetic Order in Intrinsic Magnetic Topological Insulators Mn(Bi,Sb)2Te4
Autorzy:
Glazkova, D. A.Aff1, IDS0021364022602445_cor1
Estyunin, D. A.
Klimovskikh, I. I.Aff1, Aff2
Rybkina, A. A.
Golovchanskiy, I. A.Aff2, Aff3, Aff9
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff4, Aff5, Aff6
Kokh, K. A.Aff1, Aff7, Aff8
Shchetinin, I. V.
Golyashov, V. A.Aff1, Aff4, Aff5, Aff6
Shikin, A. M.
Pokaż więcej
Źródło:
JETP Letters. 116(11):817-824
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Erratum to: Several Articles in JETP Letters
Autorzy:
Nizamov, B. A.Aff1, IDS0021364022340057_cor1
Pshirkov, M. S.Aff1, Aff2, Aff3
Maydykovskiy, A. I.Aff4, IDS0021364022340057_cor3
Mamonov, E. A.Aff4, Aff5
Mitetelo, N. V.
Soria, S.
Murzina, T. V.Aff4, IDS0021364022340057_cor7
Shvetsov, O. O.
Barash, Yu. S.
Timonina, A. V.
Kolesnikov, N. N.
Deviatov, E. V.Aff7, IDS0021364022340057_cor12
Volovik, G. E.Aff8, Aff9, IDS0021364022340057_cor13
Glazkova, D. A.Aff10, IDS0021364022340057_cor14
Estyunin, D. A.
Klimovskikh, I. I.Aff10, Aff11
Makarova, T. P.
Tereshchenko, O. E.Aff12, Aff13, Aff14
Kokh, K. A.Aff14, Aff15, Aff16
Golyashov, V. A.Aff12, Aff13, Aff14
Koroleva, A. V.
Shikin, A. M.
Sukhanova, E. V.
Kvashnin, A. G.Aff18, Aff17
Agamalyan, M. A.
Zakaryan, H. A.
Popov, Z. I.Aff17, IDS0021364022340057_cor27
Lunkin, A. V.Aff20, Aff21, Aff22, IDS0021364022340057_cor28
Pokaż więcej
Źródło:
JETP Letters. 116(9):657-659
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Impact of Co Atoms on the Electronic Structure of Bi2Te3 and MnBi2Te4 Topological Insulators
Autorzy:
Makarova, T. P.Aff1, IDS1063776122030086_cor1
Estyunin, D. A.
Fil’nov, S. O.
Glazkova, D. A.
Pudikov, D. A.
Rybkin, A. G.
Gogina, A. A.
Aliev, Z. S.
Amiraslanov, I. R.Aff2, Aff3
Mamedov, N. T.
Kokh, K. A.Aff4, Aff5, Aff6
Tereshchenko, O. E.Aff4, Aff7
Shikin, A. M.
Otrokov, M. M.Aff8, Aff9
Chulkov, E. V.Aff1, Aff10
Klimovskikh, I. I.
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 134(5):607-614
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1 –xSbx)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms
Autorzy:
Glazkova, D. A.Aff1, IDS0021364022100083_cor1
Estyunin, D. A.
Klimovskikh, I. I.Aff1, Aff2
Makarova, T. P.
Tereshchenko, O. E.Aff3, Aff4, Aff5
Kokh, K. A.Aff5, Aff6, Aff7
Golyashov, V. A.Aff3, Aff4, Aff5
Koroleva, A. V.
Shikin, A. M.
Pokaż więcej
Źródło:
JETP Letters. 115(5):286-291
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Modulation of the Dirac Point Band Gap in the Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi2Te4 due to the Surface Potential Gradient Change
Autorzy:
Shikin, A. M.Aff1, IDS1063776121120141_cor1
Estyunin, D. A.
Zaitsev, N. L.
Glazkova, D. A.Aff1, IDS1063776121120141_cor4
Klimovskikh, I. I.
Fil’nov, S. O.
Rybkin, A. G.
Kokh, K. A.Aff3, Aff1
Tereshchenko, O. E.Aff4, Aff5, Aff1
Zvezdin, K. A.Aff6, Aff7
Zvezdin, A. K.Aff6, Aff7
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 134(1):103-111
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Preparation of Atomically Clean and Structurally Ordered Surfaces of Epitaxial CdTe Films for Subsequent Epitaxy
Autorzy:
Tarasov, A. S.Aff1, IDS1063782621090220_cor1
Mikhailov, N. N.Aff1, Aff2
Dvoretsky, S. A.Aff1, Aff3
Menshchikov, R. V.
Uzhakov, I. N.
Kozhukhov, A. S.
Fedosenko, E. V.
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. 55(Suppl 1):S62-S66
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Tunable non-integer high-harmonic generation in a topological insulator
Autorzy:
Schmid, C. P.
Weigl, L.
Grössing, P.
Junk, V.
Gorini, C.Aff2, Aff7
Schlauderer, S.
Ito, S.
Meierhofer, M.
Hofmann, N.
Afanasiev, D.
Crewse, J.
Kokh, K. A.Aff4, Aff5
Tereshchenko, O. E.Aff5, Aff6
Güdde, J.
Evers, F.
Wilhelm, J.Aff2, IDs41586021034667_cor16
Richter, K.Aff2, IDs41586021034667_cor17
Höfer, U.
Huber, R.Aff1, IDs41586021034667_cor19
Pokaż więcej
Źródło:
Nature: International weekly journal of science. 593(7859):385-390
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Growth of Bi2Se3/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility
Autorzy:
Antonova, I. V.Aff1, Aff2
Nebogatikova, N. A.Aff1, Aff3
Stepina, N. P.
Volodin, V. A.Aff1, Aff2
Kirienko, V. V.
Rybin, M. G.Aff3, Aff4
Obrazstova, E. D.Aff3, Aff4
Golyashov, V. A.
Kokh, K. A.Aff2, Aff5, Aff6
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Materials Science. 56(15):9330-9343
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Non-monotonic variation of the Kramers point band gap with increasing magnetic doping in BiTeI
Autorzy:
Shikin, A. M.Aff1, IDs41598021024938_cor1
Rybkina, A. A.
Estyunin, D. A.
Klimovskikh, I. I.
Rybkin, A. G.
Filnov, S. O.
Koroleva, A. V.
Shevchenko, E. V.
Likholetova, M. V.
Voroshnin, V. Yu.Aff1, Aff2
Petukhov, A. E.
Kokh, K. A.Aff1, Aff3, Aff4
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff5, Aff6
Petaccia, L.
Di Santo, G.
Kumar, S.
Kimura, A.
Skirdkov, P. N.Aff10, Aff11
Zvezdin, K. A.Aff10, Aff11
Zvezdin, A. K.Aff10, Aff12
Pokaż więcej
Źródło:
Scientific Reports. 11(1)
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties
Autorzy:
Klimov, A. E.Aff1, Aff2
Akimov, A. N.
Akhundov, I. O.
Golyashov, V. A.Aff1, Aff3
Gorshkov, D. V.
Ishchenko, D. V.
Matyushenko, E. V.
Neizvestny, I. G.Aff1, Aff2
Sidorov, G. Yu.
Suprun, S. P.
Tarasov, A. S.
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff3
Epov, V.S.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. 54(10):1325-1331
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies