Autor: "Thirupapuliyur, S." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Scalability enhancement of FG NAND by FG shape modification.
Autorzy :: Ganguly, U.
Yokota, Y.
Jing Tang
Shiyu Sun
Rogers, M.
Miao Jin
Thadani, K.
Hamana, H.
Garlen Leung
Chandrasekaran, B.
Thirupapuliyur, S.
Olsen, C.
Nguyen, V.
Srinivasan, S.; Pokaż więcej
Źródło :: 2010 IEEE International Memory Workshop (IMW); 2010, p1-4, 4p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Experimental and Theoretical Analysis of Dopant Diffusion and C Evolution in High-C Si:C Epi Layers: Optimization of Si:C Source and Drain Formed by Post-Epi Implant and Activation Anneal.
Autorzy :: Cho, Y.
Zographos, N.
Thirupapuliyur, S.
Moroz, V.; Pokaż więcej
Źródło :: 2007 IEEE International Electron Devices Meeting; 2007, p959-962, 4p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Optimization of Sub-Melt Laser Anneal: Performance and Reliability.
Autorzy :: Severi, S.
Augendre, E.
Thirupapuliyur, S.
Ahmed, K.
Felch, S.
Parihar, V.
Nouri, F.
Hoffman, T.
Noda, T.
O'Sullivan, B.
Ramos, J.
Andres, E. San
Pantisano, L.
De Keersgieter, A.
Schreutelkamp, R.
Jennings, D.
Mahapatra, S.
Moroz, V.
De Meyer, K.
Absil, P.; Pokaż więcej
Źródło :: 2006 International Electron Devices Meeting; 2006, p1-4, 4p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: A systematic study of trade-offs in engineering a locally strained pMOSFET.
Autorzy :: Nouri, F.
Verheyen, P.
Washington, L.
Moroz, V.
De Wolf, I.
Kawaguchi, M.
Biesemans, S.
Schreutelkamp, R.
Kim, Y.
Shen, M.
Xu, X.
Rooyackers, R.
Jurczak, M.
Eneman, G.
De Meyer, K.
Smith, L.
Pramanik, D.
Forstner, H.
Thirupapuliyur, S.
Higashi, G.S.; Pokaż więcej
Źródło :: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004; 2004, p1055-1058, 4p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Interface Trap Characterization of Alternate Gate Dielectrics With Elastic Gate MOS Metrology.
Autorzy :: Bae, S. H.
Hillard, R. J.
Olsen, C. S.
Benjamin, M. C.
Thirupapuliyur, S.
Ho, N.
Kraus, P. A.; Pokaż więcej
Temat :: METROLOGY
METAL oxide semiconductors
EXCITON theory
ELECTRIC insulators & insulation
DIELECTRICS
OXIDES
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2005, Vol. 788 Issue 1, p191-193, 3p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Thirupapuliyur, S."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język