Autor: "Troshkov, S. I." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Formation of SiC Mesastructures with Gently Sloping Sidewalls by Dry Selective Etching through a Photoresist Mask
Autorzy :: Lebedeva, N. M.
Samsonova, T. P.
Il’inskaya, N. D.
Troshkov, S. I.
Ivanov, P. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics. 65(6):957-960
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: InAlAs/InGaAs/InP High-Electron-Mobility Transistors with a Composite Channel and Higher Breakdown Characteristics
Autorzy :: Maleev, N. A.Aff1, Aff2
Vasil’ev, A. P.
Kuzmenkov, A. G.
Bobrov, M. A.
Kulagina, M. M.
Troshkov, S. I.
Maleev, S. N.
Belyakov, V. A.
Petryakova, E. V.
Kudryashova, Yu. P.
Fefelova, E. L.
Makartsev, I. V.
Blokhin, S. A.
Ahmedov, F. A.
Egorov, A. V.
Fefelov, A. G.
Ustinov, V. M.Aff1, Aff2, Aff3; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. 45(11):1092-1096
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Highly Efficient Semiconductor Emitter of Single Photons in the Red Spectral Range
Autorzy :: Rakhlin, M. V.
Belyaev, K. G.
Klimko, G. V.
Sedova, I. V.
Kulagina, M. M.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Guseva, Yu. A.
Terent’ev, Ya. V.
Ivanov, S. V.
Toropov, A. A.; Pokaż więcej
Źródło :: JETP Letters. 109(3):145-149
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Low Threshold Lasing in InP/GaInP Quantum Dot Microdisks
Autorzy :: Lebedev, D. V.
Vlasov, A. S.
Kulagina, M. M.
Troshkov, S. I.
Guseva, Yu. A.
Pelucchi, E.
Gocalinska, A.
Juska, G.
Romanova, A. Yu.
Buriak, P. A.
Smirnov, V. I.
Shelaev, A. V.
Bykov, V. A.
Mintairov, A. M.Aff1, Aff5; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(14):1894-1897
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Features of the Selective Growth of GaN Nanorods on Patterned c-Sapphire Substrates of Various Configurations
Autorzy :: Semenov, A. N.
Nechaev, D. V.
Troshkov, S. I.
Nashchekin, A. V.
Brunkov, P. N.
Jmerik, V. N.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(13):1770-1774
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Metal-Semiconductor Nanoheterostructures with an AlGaN Quantum Well and In Situ Formed Surface Al Nanoislands
Autorzy :: Evropeytsev, E. A.
Semenov, A. N.
Nechaev, D. V.
Jmerik, V. N.
Kaibyshev, V. Kh.
Troshkov, S. I.
Brunkov, P. N.
Usikova, A. A.
Ivanov, S. V.
Toropov, A. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(5):622-624
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range
Autorzy :: Babichev, A. V.
Kryzhanovskaya, N. V.
Moiseev, E. I.
Gladyshev, A. G.
Karachinsky, L. Ya.
Novikov, I. I.
Blokhin, S. A.
Bobrov, M. A.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Egorov, A. Yu.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. September 2017 51(9):1127-1132
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Lasing in microdisks with an active region based on lattice-matched InP/AlInAs nanostructures
Autorzy :: Lebedev, D. V.
Mintairov, A. M.
Vlasov, A. S.
Davydov, V. Yu.
Kulagina, M. M.
Troshkov, S. I.
Bogdanov, A. A.
Smirnov, A. N.
Gocalinska, A.
Juska, G.
Pelucchi, E.
Kapaldo, J.
Rouvimov, S.
Merz, J. L.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics. July 2017 62(7):1082-1086
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length
Autorzy :: Lundin, W. V.
Rodin, S. N.
Sakharov, A. V.
Lundina, E. Yu.
Usov, S. O.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Tsatsulnikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. January 2017 51(1):100-103
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel
Autorzy :: Emtsev, V. V.
Zavarin, E. E.
Kozlovskii, M. A.
Kudoyarov, M. F.
Lundin, V. V.
Oganesyan, G. A.
Petrov, V. N.
Poloskin, D. S.
Sakharov, A. V.
Troshkov, S. I.
Shmidt, N. M.
V’yuginov, V. N.
Zybin, A. A.
Parnes, Ya. M.
Vidyakin, S. I.
Gudkov, A. G.
Chernyakov, A. E.
Kozlovskii, V. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. November 2016 42(11):1079-1082
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Laser generation at 1.3 μm in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping
Autorzy :: Blokhin, S. A.
Kryzhanovskaya, N. V.
Moiseev, E. I.
Bobrov, M. A.
Kuz’menkov, A. G.
Blokhin, A. A.
Vasil’ev, A. P.
Karpovskii, I. O.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Nevedomskii, V. N.
Nikitina, E. V.
Maleev, N. A.
Ustinov, V. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. October 2016 42(10):1009-1012
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency
Autorzy :: Zubov, F. I.
Kryzhanovskaya, N. V.
Moiseev, E. I.
Polubavkina, Yu. S.
Simchuk, O. I.
Kulagina, M. M.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Lipovskii, A. A.
Maximov, M. V.
Zhukov, A. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. October 2016 50(10):1408-1411
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture
Autorzy :: Bobrov, M. A.
Maleev, N. A.
Blokhin, S. A.
Kuzmenkov, A. G.
Vasil’ev, A. P.
Blokhin, A. A.
Guseva, Yu. A.
Kulagina, M. M.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Lysak, V.
Ustinov, V. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. October 2016 50(10):1390-1395
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: A study of distributed dielectric bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range
Autorzy :: Blokhin, S. A.
Bobrov, M. A.
Kuzmenkov, A. G.
Blokhin, A. A.
Vasil’ev, A. P.
Guseva, Yu. A.
Kulagina, M. M.
Karpovsky, I. O.
Zadiranov, Yu. M.
Troshkov, S. I.
Prasolov, N. D.
Brunkov, P. N.
Levitsky, V. S.
Lisak, V.
Maleev, N. A.
Ustinov, V. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. October 2016 42(10):1049-1053
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Solar-blind Al x Ga1–x N (x > 0.45) p–i–n photodiodes with a polarization-p-doped emitter
Autorzy :: Kuznetsova, N. V.
Nechaev, D. V.
Shmidt, N. M.
Karpov, S. Yu.
Rzheutskii, N. V.
Zemlyakov, V. E.
Kaibyshev, V. Kh.
Kazantsev, D. Yu.
Troshkov, S. I.
Egorkin, V. I.
Ber, B. Ya.
Lutsenko, E. V.
Ivanov, S. V.
Jmerik, V. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. June 2016 42(6):635-638
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy
Autorzy :: Lundin, W. V.
Zavarin, E. E.
Brunkov, P. N.
Yagovkina, M. A.
Troshkov, S. I.
Sakharov, A. V.
Nikolaev, A. E.
Tsatsulnikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. April 2016 42(4):431-434
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Autorzy :: Kryzhanovskaya, N. V.
Maximov, M. V.
Blokhin, S. A.
Bobrov, M. A.
Kulagina, M. M.
Troshkov, S. I.
Zadiranov, Yu. M.
Lipovskii, A. A.
Moiseev, E. I.
Kudashova, Yu. V.
Livshits, D. A.
Ustinov, V. M.
Zhukov, A. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. March 2016 50(3):390-393
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: The influence of aluminum content on the surface morphology of heavily doped (Al)GaN mesastrip structures grown by selective metalorganic vapor phase epitaxy
Autorzy :: Lundin, W. V.
Zavarin, E. E.
Popov, M. G.
Troshkov, S. I.
Sakharov, A. V.
Smirnova, I. P.
Kulagina, M. M.
Davydov, V. Yu.
Smirnov, A. N.
Tsatsulnikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. October 2015 41(10):1006-1009
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN
Autorzy :: Kukushkin, S. A.
Osipov, A. V.
Rozhavskaya, M. M.
Myasoedov, A. V.
Troshkov, S. I.
Lundin, V. V.
Sorokin, L. M.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. September 2015 57(9):1899-1907
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: The effect of sulfide passivation on luminescence from microdisks with quantum wells and quantum dots
Autorzy :: Kryzhanovskaya, N. V.
Lebedev, M. V.
L’vova, T. V.
Kudashova, Yu. V.
Shostak, I. I.
Moiseev, E. I.
Zhukov, A. E.
Maximov, M. V.
Kulagina, M. M.
Nadtochiy, A. M.
Troshkov, S. I.
Blokhin, A. A.
Bobrov, M. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. July 2015 41(7):654-657
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Troshkov, S. I."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język