Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Trunkin, I. N."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-19 z 19
Tytuł :
Control of Mooij correlations at the nanoscale in the disordered metallic Ta–nanoisland FeNi multilayers
Autorzy :
Kovaleva, N. N.Aff1, Aff2
Kusmartsev, F. V.Aff1, Aff3
Mekhiya, A. B.
Trunkin, I. N.
Chvostova, D.
Davydov, A. B.
Oveshnikov, L. N.Aff2, Aff4
Pacherova, O.
Sherstnev, I. A.
Kusmartseva, A.
Kugel, K. I.Aff6, Aff7
Dejneka, A.
Pudonin, F. A.
Luo, Y.
Aronzon, B. A.
Pokaż więcej
Źródło :
Scientific Reports. 10(1)
Czasopismo naukowe
Tytuł :
High-resolution X-ray diffractometry and transmission electron microscopy as applied to the structural study of InAlAs/InGaAs/InAlAs multilayer transistor nanoheterostructures
Autorzy :
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Imamov, R. M.
Ganin, G. V.
Pushkarev, S. S.
Maltsev, P. P.
Zhigalina, O. M.
Orekhov, A. S.
Vasil’ev, A. L.
Presniakov, M. Yu.
Trunkin, I. N.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. May 2016 10(3):495-509
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Structural and electrophysical properties of In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP HEMT nanoheterostructures with different combinations of InAs and GaAs inserts in quantum well
Autorzy :
Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.
Vasil’evskii, I. S.
Imamov, R. M.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Lavruhin, D. V.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.
Trunkin, I. N.
Pokaż więcej
Źródło :
Crystallography Reports. May 2015 60(3):397-405
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-19 z 19

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies