Autor: "Tsatsul’nikov, A. F." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Thin-Film LED based on AlInGaN Layers Grown on Hybrid SiC/Si Substrates
Autorzy:: Markov, L. K.
Kukushkin, S. A.Aff2, IDS106378502301025X_cor2
Pavluchenko, A. S.
Smirnova, I. P.
Sakharov, A. V.
Nikolaev, A. E.
Grashchenko, A. S.
Osipov, A. V.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 49(Suppl 4):S338-S341

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates
Autorzy:: Cherkashin, N. A.
Sakharov, A. V.
Nikolaev, A. E.Aff2, Aff3
Lundin, V. V.
Usov, S. O.
Ustinov, V. M.
Grashchenko, A. S.
Kukushkin, S. A.
Osipov, A. V.
Tsatsul’nikov, A. F.Aff2, IDS106378502108006X_cor10; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 47(10):753-756

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The Effect of the Method by Which a High-Resistivity GaN Buffer Layer Is Formed on Properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures with 2D Electron Gas
Autorzy:: Lundin, V. V.
Sakharov, A. V.
Zavarin, E. E.
Zakgeim, D. A.
Nikolaev, A. E.
Brunkov, P. N.
Yagovkina, M. A.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 44(7):577-580

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Photonic-crystal waveguide for the second-harmonic generation
Autorzy:: Savchenko, G. M.
Dudelev, V. V.
Lundin, V. V.
Sakharov, A. V.
Tsatsul’nikov, A. F.
Kognovitskaya, E. A.
Losev, S. N.
Deryagin, A. G.
Kuchinskii, V. I.
Averkiev, N. S.
Sokolovskii, G. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. September 2017 59(9):1702-1705

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN
Autorzy:: Kukushkin, S. A.
Osipov, A. V.
Rozhavskaya, M. M.
Myasoedov, A. V.
Troshkov, S. I.
Lundin, V. V.
Sorokin, L. M.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. September 2015 57(9):1899-1907

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: MOCVD Growth of AlGaN Epilayers and AlGaN/GaN SLs in a Wide Composition Range
Autorzy:: Lundin, W. V.
Sakharov, A. V.
Tsatsul’nikov, A. F.
Zavarin, E. E.
Besulkin, A. I.
Fomin, A. V.
Sizov, D. S.; Pokaż więcej
Źródło:: UV Solid-State Light Emitters and Detectors. 144:223-231

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Optical Switches and Modulators for Integrated Optoelectronic Systems
Autorzy:: Popov, A. S.
Mirtchev, T.
Kovsh, A. R.
Zhukov, A. E.
Odnoblyudov, M. A.
Egorov, A. Yu.
Ustinov, V. M.
Ledentsov, N. N.
Maksimov, M. V.
Tsatsul’nikov, A. F.
Gordeev, N. Yu.
Zaitsev, S. V.
Kop’ev, P. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Advanced Electronic Technologies and Systems Based on Low-Dimensional Quantum Devices. 42:189-208

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Modelling Quantum Well Laser Diode Structures
Autorzy:: Blood, Peter
Foulger, Damian L.
Smowton, Peter M.
Starodub, N. F.
Fedorenko, L. L.
Starodub, V. M.
Dikij, S. P.
Zhukov, A. E.
Ustinov, V. M.
Egorov, A. Yu.
Kovsh, A. R.
Ledentsov, N. N.
Maksimov, M. V.
Tsatsul’nikov, A. F.
Gordeev, N. Yu.
Zaitsev, S. V.
Kop’ev, P. S.
Aleshkin, V. Ya.
Andronov, A. A.
Antonov, A. V.
Bekin, N. A.
Gavrilenko, V. I.
Revin, D. G.
Lin’kova, E. R.
Malkina, I. G.
Uskova, E. A.
Zvonkov, B. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Advanced Electronic Technologies and Systems Based on Low-Dimensional Quantum Devices. 42:77-98

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Resonance Bragg structure with double InGaN quantum wells
Autorzy:: Bol’shakov, A. S.
Chaldyshev, V. V.
Zavarin, E. E.
Sakharov, A. V.
Lundin, V. V.
Tsatsul’nikov, A. F.
Yagovkina, M. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. September 2013 55(9):1817-1820

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: MBE Growth of (In,Ga)As Self-Assembled Quantum Dots for Optoeletronic Applications
Autorzy:: Ustinov, V. M.
Zhukov, A. E.
Egorov, A. Yu.
Lendentsov, N. N.
Maksimov, M. V.
Tsatsul’nikov, A. F.
Kop’ev, P. S.
Bimberg, D.Aff2, Aff3
Alferov, Zh. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Devices Based on Low-Dimensional Semiconductor Structures. 14:91-94

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Emission of terahertz radiation from selectively doped AlGaN/GaN heterostructures under the heating of two-dimensional electrons by an electric field
Autorzy:: Shalygin, V. A.
Vorobjev, L. E.
Firsov, D. A.
Sofronov, A. N.
Melentyev, G. A.
Vinnichenko, M. Ya.
Lundin, V. V.
Nikolaev, A. E.
Sakharov, A. V.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. February 2012 76(2):207-210

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Formation of composite InGaN/GaN/InAlN quantum dots
Autorzy:: Tsatsul’nikov, A. F.
Zavarin, E. E.
Kryzhanovskaya, N. V.
Lundin, W. V.
Saharov, A. V.
Usov, S. O.
Brunkov, P. N.
Goncharov, V. V.
Cherkashin, N. A.
Hytch, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. October 2010 44(10):1338-1341

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Structural and optical properties of InAlN/GaN distributed Bragg reflectors
Autorzy:: Usov, S. O.
Zavarin, E. E.
Tsatsul’nikov, A. F.
Lundin, V. V.
Sakharov, A. V.
Nikolaev, A. E.
Sinitsyn, M. A.
Kryzhanovskaya, N. V.
Troshkov, S. I.
Ledentsov, N. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. July 2010 44(7):949-953

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Optical and structural properties of InGaN/GaN short-period superlattices for the active region of light- emitting diodes
Autorzy:: Kryzhanovskaya, N. V.
Lundin, W. V.
Nikolaev, A. E.
Tsatsul’nikov, A. F.
Sakharov, A. V.
Pavlov, M. M.
Cherkachin, N. A.
Hÿtch, M. J.
Valkovsky, G. A.
Yagovkina, M. A.
Usov, S. O.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. June 2010 44(6):828-834

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Optical and X-ray diffraction studies of multilayer structures based on InGaN/GaN solid solutions
Autorzy:: Usov, S. O.
Tsatsul’nikov, A. F.
Zavarin, E. E.
Kyutt, R. N.
Ledentsov, N. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. August 2009 51(8):1615-1621

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Phase separation and nonradiative carrier recombination in active regions of light-emitting devices based on InGaN quantum dots in a GaN or AlGaN matrix
Autorzy:: Sizov, V. S.
Gutkin, A. A.
Sakharov, A. V.
Lundin, V. V.
Brunkov, P. N.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. June 2009 43(6):807-811

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Vapor phase epitaxy of aluminum nitride from trimethylaluminum and molecular nitrogen
Autorzy:: Lundin, W. V.
Zavarin, E. E.
Sinitsyn, M. A.
Yagovkina, M. A.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. November 2008 34(11):908-911

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: InGaN nanoinclusions in an AlGaN matrix
Autorzy:: Sizov, V. S.
Tsatsul’nikov, A. F.
Lundin, V. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. July 2008 42(7):788-793

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Energy characteristics of excitons in structures based on InGaN alloys
Autorzy:: Usov, S. O.
Tsatsul’nikov, A. F.
Lundin, V. V.
Sakharov, A. V.
Zavarin, E. E.
Sinitsyn, M. A.
Ledentsov, N. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. June 2008 42(6):720-725

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Effect of hydrogen on anisotropy of the p-GaN growth rate in the case of side-wall MOCVD
Autorzy:: Lundin, W. V.
Nikolaev, A. E.
Sakharov, A. V.
Tsatsul’nikov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. February 2008 42(2):232-237

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Tsatsul’nikov, A. F."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji