Autor: "Tuomi, T." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Raman scattering studies of ultrashallow Sb implants in strained Si
Autorzy:: O’Reilly, L.
Bennett, N. S.
McNally, P. J.
Sealy, B. J.
Cowern, N. E. B.
Lankinen, A.
Tuomi, T. O.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. April 2008 19(4):305-309

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: In-situ optical reflectance and synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial dilute GaAsN on GaAs
Autorzy:: Reentilä, O.
Lankinen, A.
Mattila, M.
Säynätjoki, A.
Tuomi, T. O.
Lipsanen, H.
O’Reilly, L.
McNally, P. J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. February 2008 19(2):137-142

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Dislocations at the interface between sapphire and GaN
Autorzy:: Lankinen, A.
Lang, T.
Suihkonen, S.
Svensk, O.
Säynätjoki, A.
Tuomi, T. O.
McNally, P. J.
Odnoblyudov, M.
Bougrov, V.
Danilewsky, A. N.
Bergman, P.
Simon, R.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. February 2008 19(2):143-148

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Dislocations in GaAs p-i-n diodes grown by hydride vapour phase epitaxy
Autorzy:: Säynätjoki, A.
Lankinen, A.
Tuomi, T. O.
McNally, P. J.
Danilewsky, A.
Zhilyaev, Y.
Fedorov, L.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. February 2008 19(2):149-154

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Synchrotron X-ray topography study of defects in indium antimonide P-I-N structures grown by metal organic vapour phase epitaxy
Autorzy:: Riikonen, J.
Tuomi, T.
Lankinen, A.
Sormunen, J.
Säynätjoki, A.
Knuuttila, L.
Lipsanen, H.
McNally, P. J.
O’Reilly, L.
Danilewsky, A.
Sipilä, H.
Vaijärvi, S.
Lumb, D.
Owens, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. July 2005 16(7):449-453

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Misfit dislocations in GaAsN/GaAs interface
Autorzy:: Toivonen, J.
Tuomi, T.
Riikonen, J.
Knuuttila, L.
Hakkarainen, T.
Sopanen, M.
Lipsanen, H.
McNally, P. J.
Chen, W.
Lowney, D.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. May 2003 14(5-7):267-270

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Stress characterization of device layers and the underlying Si1−x Ge x virtual substrate with high-resolution micro-Raman spectroscopy
Autorzy:: Chen, W. M.
McNally, P. J.
Dilliway, G. D. M.
Bonar, J.
Tuomi, T.
Willoughby, A. F. W.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. May 2003 14(5-7):455-458

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Correlating integrated circuit process-induced strain and defects against device yield and process control monitoring data
Autorzy:: Karilahti, M.
Tuomi, T.
Rantamäki, R.
McNally, P. J.
Danilewsky, A. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. May 2003 14(5-7):445-449

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Tilted-wing-induced stress distribution in epitaxial lateral overgrown GaN
Autorzy:: Chen, W. M.
McNally, P. J.
Kanatharana, J.
Lowney, D.
Jacobs, K.
Tuomi, T.
Knuuttila, L.
Riikonen, J.
Toivonen, J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. May 2003 14(5-7):283-286

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Examination of the structural and optical failure of ultra-bright LEDs under varying degrees of electrical stress using synchrotron X-ray topography and optical emission spectroscopy
Autorzy:: Lowney, D.
McNally, P. J.
O'Hare, M.
Herbert, P. A. F.
Tuomi, T.
Rantamäki, R.
Karilahti, M.
Danilewsky, A. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. June 2001 12(4-6):249-253

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Monitoring of stress reduction in shallow trench isolation CMOS structures via synchrotron X-ray topography, electrical data and raman spectroscopy
Autorzy:: Mcnally, P. J.
Curley, J. W.
Bolt, M.
Reader, A.
Tuomi, T.
Rantama¨ki, R.
Danilewsky, A. N.
DeWolf, I.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. July 1999 10(5-6):351-358

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Raman scattering studies of ultrashallow Sb implants in strained Si.
Autorzy:: O'Reilly, L.
Bennett, N. S.
McNally, P. J.
Sealy, B. J.
Cowern, N. E. B.
Lankinen, A.
Tuomi, T. O.; Pokaż więcej
Temat:: ANTIMONY
SILICON
RAMAN spectroscopy
SPECTRUM analysis
RAMAN effect
STRAINS & stresses (Mechanics)
ULTRAVIOLET radiation
PHONONS
LASERS
ATOMS
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Apr2008, Vol. 19 Issue 4, p305-309, 5p, 1 Black and White Photograph, 5 Graphs

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Stress characterization of device layers and the underlying Si1−xGexvirtual substrate with high-resolution micro-Raman spectroscopy
Autorzy:: Chen, W.
McNally, P.
Dilliway, G.
Bonar, J.
Tuomi, T.
Willoughby, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; May 2003, Vol. 14 Issue: 5-7 p455-458, 4p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Tuomi, T."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Język