Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Vézian, Stéphane"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-27 z 27
Tytuł:
Selective sublimation of GaN and regrowth of AlGaN to co-integrate enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
Autorzy:
Ngo, Thi Huong
Comyn, Rémi
Chenot, Sébastien
Brault, Julien
Nemoz, Maud
Vennéguès, Philippe
Damilano, Benjamin
Vézian, Stéphane
Frayssinet, Eric
Cozette, Flavien
Defrance, Nicolas
Lecourt, François
Labat, Nathalie
Maher, Hassan
Cordier, Yvon
Pokaż więcej
Źródło:
In Journal of Crystal Growth 1 September 2022 593
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
Autorzy:
Ngo, Thi Huong
Comyn, Rémi
Chenot, Sébastien
Brault, Julien
Damilano, Benjamin
Vézian, Stéphane
Frayssinet, Eric
Cozette, Flavien
Defrance, Nicolas
Lecourt, François
Labat, Nathalie
Maher, Hassan
Cordier, Yvon
Pokaż więcej
Źródło:
In Solid State Electronics February 2022 188
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Erratum: "Influence of the temperature on growth by ammonia source molecular beam epitaxy of wurtzite phase ScAlN alloy on GaN" [APL Mater. 11, 031105 (2023)].
Autorzy:
Elias, Caroline
Nemoz, Maud
Rotella, Hélène
Georgi, Frédéric
Vézian, Stéphane
Hugues, Maxime
Cordier, Yvon
Pokaż więcej
Temat:
MOLECULAR beam epitaxy
WURTZITE
GALLIUM nitride
ALLOYS
TEMPERATURE
AMMONIA
Źródło:
APL Materials; Mar2024, Vol. 12 Issue 3, p1-2, 2p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-27 z 27

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies