Autor: "Vainilovich, A. G." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: MBE AlGaN/GaN HEMT Heterostructures with Optimized AlN Buffer on Al2O3
Autorzy:: Lutsenko, E. V.
Rzheutski, M. V.
Vainilovich, A. G.
Svitsiankou, I. E.
Shulenkova, V. A.
Muravitskaya, E. V.
Alexeev, A. N.
Petrov, S. I.
Yablonskii, G. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 52(16):2107-2110

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Molecular-beam epitaxy of heterostructures of wide-gap II–VI compounds for low-threshold lasers with optical and electron pumping
Autorzy:: Sorokin, S. V.
Gronin, S. V.
Sedova, I. V.
Rakhlin, M. V.
Baidakova, M. V.
Kop’ev, P. S.
Vainilovich, A. G.
Lutsenko, E. V.
Yablonskii, G. P.
Gamov, N. A.
Zhdanova, E. V.
Zverev, M. M.
Ruvimov, S. S.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. March 2015 49(3):331-336

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Laser and Optical Properties of Green-Emitting ZnCdSe Quantum Dot Based Heterostructures
Autorzy:: Vainilovich, Aliaksei G.Aff1, Aff2
Lutsenko, E. V.
Yablonskii, G. P.
Sedova, I. V.
Sorokin, S. V.
Gronin, S. V.
Ivanov, S. V.
Kop’ev, P. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Nano-Optics for Enhancing Light-Matter Interactions on a Molecular Scale : Plasmonics, Photonic Materials and Sub-Wavelength Resolution. :451-452

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: ZnMgSSe/ZnSe GRADED-INDEX SUPERLATTICE WAVEGUIDE HETEROSTRUCTURES WITH (Zn)CdSe QUANTUM DOT ACTIVE REGION FOR GREEN LASER APPLICATION.
Autorzy:: VAINILOVICH, A. G.
LUTSENKO, E. V.
PAVLOVSKII, V. N.
YABLONSKII, G. P.
SEDOVA, I. V.
SOROKIN, S. V.
GRONIN, S. V.
IVANOV, S. V.
KOP'EV, P. S.
ALYAMANI, AHMED; Pokaż więcej
Źródło:: Physics, Chemistry & Applications of Nanostructures: Reviews & Short Notes - Proceedings of International Conference Nanomeeting - 2011. 2011, p440-443. 4p.

Konferencja

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: MBE AlGaN/GaN HEMT Heterostructures with Optimized AlN Buffer on Al2O3.
Autorzy:: Lutsenko, E. V.
Rzheutski, M. V.
Vainilovich, A. G.
Svitsiankou, I. E.
Shulenkova, V. A.
Muravitskaya, E. V.
Alexeev, A. N.
Petrov, S. I.
Yablonskii, G. P.; Pokaż więcej
Temat:: ALUMINUM gallium nitride
GALLIUM nitride
MOLECULAR beam epitaxy
MODULATION-doped field-effect transistors
BUFFER layers
ALUMINUM nitride
ALUMINUM oxide
Źródło:: Semiconductors; Dec2018, Vol. 52 Issue 16, p2107-2110, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: MBE AlGaN/GaN HEMT Heterostructures with Optimized AlN Buffer on Al2O3.
Autorzy:: Lutsenko, E. V.
Rzheutski, M. V.
Vainilovich, A. G.
Svitsiankou, I. E.
Shulenkova, V. A.
Muravitskaya, E. V.
Alexeev, A. N.
Petrov, S. I.
Yablonskii, G. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Dec2018, Vol. 52 Issue 16, p2107-2110. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Vainilovich, A. G."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji