Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Vandendaele, William"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Impact of Nitrogen Concentration and Post‐Deposition Annealing on Electrical Properties of AlON/Etched N‐GaN MOS Capacitors.
Autorzy:
Rocha, Pedro Fernandes Paes Pinto
Zeghouane, Mohammed
Boubenia, Sarah
Bassani, Franck
Vauche, Laura
Martinez, Eugénie
Vandendaele, William
Veillerot, Marc
Salem, Bassem
Pokaż więcej
Temat:
NITROGEN plasmas
MODULATION-doped field-effect transistors
NITRIDING
CAPACITORS
HYSTERESIS
Źródło:
Advanced Electronic Materials; Mar2024, Vol. 10 Issue 3, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies