- Tytuł:
- Calculation of the mobility in Al2O3/GaN electron channel: Effect of p-doping and comparison with experiments
- Autorzy:
- Źródło:
- In Solid State Electronics December 2022 198
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.