Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Verma, Yogesh"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Switching Transient Analysis and Characterization of an E-Mode B-Doped GaN-Capped AlGaN DH-HEMT with a Freewheeling Schottky Barrier Diode (SBD)
Autorzy :
Subramanian, BaskaranAff1, IDs1166402008113x_cor1
Anandan, Mohanbabu
Veerappan, Saminathan
Panneerselvam, Murugapandiyan
Wasim, Mohammed
Radhakrishnan, Saravana Kumar
Pechimuthu, Praveen
Verma, Yogesh Kumar
Vivekanandhan, Subash Navaneethan
Raju, Elamurugan
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Electronic Materials. 49(7):4091-4099
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies