Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Vinichenko, A. N."" wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł :
THz Radiation of Photoconductive Antennas based on {LT-GaAa/GaAa:Si} Superlattice Structures.
Autorzy :
Klochkov, A. N.
Klimov, E. A.
Solyankin, P. M.
Konnikova, M. R.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Shkurinov, A. P.
Galiev, G. B.
Pokaż więcej
Temat :
SUBMILLIMETER waves
ANTENNAS (Electronics)
OPTICAL pumping
RADIATION
PHOTOVOLTAIC power systems
Źródło :
Optics & Spectroscopy; Jul2020, Vol. 128 Issue 7, p1010-1017, 8p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates.
Autorzy :
Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Trunkin, I. N.
Pushkarev, S. S.
Pokaż więcej
Temat :
SUPERLATTICES
TRANSMISSION electron microscopy
MOLECULAR beam epitaxy
EPITAXY
Źródło :
Crystallography Reports; May2020, Vol. 65 Issue 3, p496-501, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures.
Autorzy :
Gudina, S. V.
Arapov, Yu. G.
Ilchenko, E. I.
Neverov, V. N.
Savelyev, A. P.
Podgornykh, S. M.
Shelushinina, N. G.
Yakunin, M. V.
Vasil’evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRIC conductivity
QUANTUM phase transitions
HALL effect
MAGNETIC fields
LANDAU levels
Źródło :
Semiconductors; Dec2018, Vol. 52 Issue 12, p1551-1558, 8p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
New Structure for Photoconductive Antennas Based on {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattice on GaAs(111)A Substrate.
Autorzy :
Galiev, G. B.
Trunkin, I. N.
Vasiliev, A. L.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.
Pokaż więcej
Temat :
AUDITING standards
GALLIUM arsenide
ANTENNAS (Electronics)
MOTION picture distribution
CRYSTAL structure
Źródło :
Crystallography Reports; Mar2019, Vol. 64 Issue 2, p205-211, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Peculiarities of Silicon-Donor Ionization and Electron Scattering in Pseudomorphous AlGaAs/InGaAs/GaAs Quantum Wells with Heavy Unilateral Delta-Doping.
Autorzy :
Safonov, D. A.
Vinichenko, A. N.
Kargin, N. I.
Vasil'evskii, I. S.
Pokaż więcej
Temat :
IONIZATION (Atomic physics)
ELECTRON scattering
ELECTRON transport
QUANTUM wells
DOPING agents (Chemistry)
Źródło :
Technical Physics Letters; Feb2018, Vol. 44 Issue 2, p145-148, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Electron Effective Mass and Momentum Relaxation Time in One-Sided δ-Doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Quantum Wells with High Electron Density.
Autorzy :
Safonov, D. A.
Vinichenko, A. N.
Kargin, N. I.
Vasil'evskii, I. S.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRONS
DOPING agents (Chemistry)
ALUMINUM compounds
GALLIUM arsenide
QUANTUM wells
ELECTRON density
Źródło :
Technical Physics Letters; Dec2018, Vol. 44 Issue 12, p1174-1176, 3p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
The Influence of the Annealing Regime on the Properties of Terahertz Antennas Based on Low-Temperature-Grown Gallium Arsenide.
Autorzy :
Nomoev, S. A.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Kozlovskii, K. I.
Chistyakov, A. A.
Mishina, E. D.
Khusyainov, D. I.
Buryakov, A. M.
Pokaż więcej
Temat :
ANNEALING of metals
GALLIUM arsenide
TERAHERTZ technology
PHOTOCONDUCTIVE cells
MOLECULAR beam epitaxy
Źródło :
Technical Physics Letters; Jan2018, Vol. 44 Issue 1, p44-46, 3p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Cost-effectiveness of voluntary HIV screening in Russia.
Autorzy :
Tole, S. P.
Sanders, G. D.
Bayoumi, A. M.
Galvin, C. M.
Vinichenko, T. N.
Brandeau, M. L.
Owens, D. K.
Pokaż więcej
Temat :
MEDICAL screening
DIAGNOSIS of HIV infections
MEDICAL care costs
COST effectiveness
QUALITY of life
SURVIVAL analysis (Biometry)
DISEASE prevalence
MARKOV processes
Źródło :
International Journal of STD & AIDS; Jan2009, Vol. 20 Issue 1, p46-51, 6p, 2 Charts, 3 Graphs
Terminy geograficzne :
RUSSIA
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures.
Autorzy :
Gudina, S. V.
Arapov, Yu. G.
Ilchenko, E. V.
Neverov, V. N.
Savelyev, A. P.
Podgornykh, S. M.
Shelushinina, N. G.
Yakunin, M. V.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Pokaż więcej
Temat :
QUANTUM Hall effect
INDIUM gallium arsenide
ALUMINUM arsenide
Źródło :
Semiconductors; Dec2018, Vol. 52 Issue 15, p1989-1989, 1p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies