Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Volodin, V. A."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-41 z 41
Tytuł:
Atomic Structure and Optical Properties of CaSi2 Layers Grown on CaF2/Si Substrates
Autorzy:
Zinovyev, V. A.Aff1, IDS1063782621090268_cor1
Kacyuba, A. V.
Volodin, V. A.Aff1, Aff2
Zinovieva, A. F.Aff1, Aff2
Cherkova, S. G.
Smagina, Zh. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2
Krupin, A. Y.
Borodavchenko, O. M.
Zhivulko, V. D.
Mudryi, A. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. 55(10):808-811
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Visible Photoluminescence from Silicon Nanopowders Produced by Silicon Evaporation in a High-Power Electron Beam.
Autorzy:
Efremov, M. D.
Volodin, V. A. volodin@isp.nsc.ru
Marin, D. V.
Arzhannikova, S. A.
Gorya&ibrave;nov, S. V.
Korchagin, A. I.
Cherepkov, V. V.
Lavrukhin, A. V.
Fadeev, S. N.
Salimov, R. A.
Bardakhanov, S. P.
Pokaż więcej
Źródło:
JETP Letters. 10/25/2004, Vol. 80 Issue 8, p544-547. 4p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Formation of light-emitting nanostructures in layers of stoichiometric SiO irradiated with swift heavy ions.
Autorzy:
Kachurin, G.
Cherkova, S.
Skuratov, V.
Marin, D.
Kesler, V.
Volodin, V.
Pokaż więcej
Temat:
NANOSTRUCTURES
STOICHIOMETRY
SILICON oxide
HEAVY ions
IRRADIATION
PHOTOLUMINESCENCE
RAMAN effect
X-ray photoelectron spectroscopy
Źródło:
Semiconductors; Oct2011, Vol. 45 Issue 10, p1311-1316, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Effect of the ion-energy loss rate on defect formation during implantation in silicon nanocrystals.
Autorzy:
Kachurin, G. A.
Cherkova, S. G.
Marin, D. V.
Gutakovskiǐ, A. K.
Cherkov, A. G.
Volodin, V. A.
Pokaż więcej
Temat:
NANOCRYSTALS
PHOTOLUMINESCENCE
ENERGY dissipation
RADIATION
ELECTRONS
Źródło:
Semiconductors; Sep2008, Vol. 42 Issue 9, p1127-1131, 5p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electrical properties and photoluminescence of SiOx layers with Si nanocrystals in relation to the SiOx composition.
Autorzy:
Antonova, I.
Gulyaev, M.
Yanovitskaya, Z.
Volodin, V.
Marin, D.
Efremov, M.
Goldstein, Y.
Jedrzejewski, J.
Pokaż więcej
Temat:
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
RESONANCE lamps
SILICON
OXIDES
Źródło:
Semiconductors; Oct2006, Vol. 40 Issue 10, p1198-1203, 6p, 1 Diagram, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-41 z 41

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies