Autor: "Weyers, M." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Impact of Si doping on dislocation behavior in MOVPE-grown AlN on high-temperature annealed AlN buffer layers.
Autorzy :: Mogilatenko, A.
Walde, S.
Hagedorn, S.
Netzel, C.
Huang, C.-Y.
Weyers, M.; Pokaż więcej
Temat :: BUFFER layers
LATTICE constants
HIGH temperatures
EPITAXY
GASES
SAPPHIRES
Źródło :: Journal of Applied Physics; 1/28/2022, Vol. 131 Issue 4, p1-7, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Impact of operation parameters on the degradation of 233 nm AlGaN-based far-UVC LEDs.
Autorzy :: Glaab, J.
Ruschel, J.
Lobo Ploch, N.
Cho, H. K.
Mehnke, F.
Sulmoni, L.
Guttmann, M.
Wernicke, T.
Weyers, M.
Einfeldt, S.
Kneissl, M.; Pokaż więcej
Temat :: DENSITY currents
Źródło :: Journal of Applied Physics; 1/7/2022, Vol. 131 Issue 1, p1-7, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
Autorzy :: Netzel, C.
Hoffmann, V.
Einfeldt, S.
Weyers, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. 49(9):5138-5143
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: A carbon-doping related luminescence band in GaN revealed by below bandgap excitation.
Autorzy :: Zimmermann, F.
Beyer, J.
Beyer, F. C.
Gärtner, G.
Gamov, I.
Irmscher, K.
Richter, E.
Weyers, M.
Heitmann, J.; Pokaż więcej
Temat :: LUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
EPITAXY
SPECTROMETRY
GASES
Źródło :: Journal of Applied Physics; 8/7/2021, Vol. 130 Issue 5, p1-7, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Carbon doping of GaN: Proof of the formation of electrically active tri-carbon defects.
Autorzy :: Gamov, I.
Richter, E.
Weyers, M.
Gärtner, G.
Irmscher, K.; Pokaż więcej
Temat :: CARBON isotopes
CARBON
LIGHT absorption
EVIDENCE
HARMONIC oscillators
ISOTOPES
Źródło :: Journal of Applied Physics; 5/29/2020, Vol. 127 Issue 20, p1-8, 8p, 1 Diagram, 3 Charts, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Extra half-plane shortening of dislocations as an origin of tensile strain in Si-doped (Al)GaN.
Autorzy :: Weinrich, J.
Mogilatenko, A.
Brunner, F.
Koch, C. T.
Weyers, M.; Pokaż więcej
Temat :: SCANNING transmission electron microscopy
CHEMICAL vapor deposition
DISLOCATION density
EDIBLE fats & oils
CURVATURE measurements
INDIUM gallium nitride
GALLIUM nitride
Źródło :: Journal of Applied Physics; 8/28/2019, Vol. 126 Issue 8, pN.PAG-N.PAG, 7p, 5 Diagrams, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Localization of current-induced degradation effects in (InAlGa)N-based UV-B LEDs.
Autorzy :: Ruschel, J.
Glaab, J.
Brendel, M.
Rass, J.
Stölmacker, C.
Lobo-Ploch, N.
Kolbe, T.
Wernicke, T.
Mehnke, F.
Enslin, J.
Einfeldt, S.
Weyers, M.
Kneissl, M.; Pokaż więcej
Temat :: LIGHT emitting diodes
ELECTRO-optical effects
MAGNETIC control
ELECTROLUMINESCENT devices
ELECTRIC field effects
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 8, pN.PAG-N.PAG, 7p, 1 Diagram, 11 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Structural and luminescence imaging and characterisation of semiconductors in the scanning electron microscope
Autorzy :: Trager-Cowan, C.
Alasmari, A.
Avis, W.
Bruckbauer, J.
Edwards, P.R.
Ferenczi, G.
Hourahine, B.
Kotzai, A.
Kraeusel, S.
Kusch, G.
Martin, R.W.
McDermott, R.
Gunasekar, N.
Nouf-Allehiani, M.
Pascal, E.
Thomson, D.
Vespucci, S.
Smith, M.D.
Parbrook, P.J.
Enslin, J.
Mehnke, F.
Kuhn, C.
Wernicke, T.
Kneissl, M.
Hagedorn, S.
Knauer, A.
Walde, S.
Weyers, M.
Coulon, P.-M.
Shields, P.
Bai, J.
Gong, Y.
Jiu, L.
Zhang, Y.
Smith, R.
Wang, T.
Winkelmann, A.; Pokaż więcej
Opis pliku :: application/pdf
Dostępność :: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::32c32c2a4b5ca014c9b9143ef09f3576
https://eprints.whiterose.ac.uk/157595/1/Trager-Cowan+et+al_2020_Semicond._Sci._Technol._10.1088_1361-6641_ab75a5.pdf

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: High-temperature annealing of AlN films grown on 4H-SiC
Autorzy :: Brunner, F.
Cancellara, L.
Hagedorn, S.
Albrecht, M.
Weyers, M.; Pokaż więcej
Temat :: Aluminum nitride
Annealing
III-V semiconductors
Metallorganic vapor phase epitaxy
Sapphire
Secondary ion mass spectrometry
Silicon
Silicon carbide
Substrates
4H-SiC substrate
Dislocation densities
High temperature treatments
High-temperature annealing
Impurity concentration
Residual strains
Structural qualities
XRD measurements
Silicon compounds
Dostępność :: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::636ea23283b19cea58a334c6db8bbdc2

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Het effect van mindfulness interventies op werkenden: een literatuurverkenning
Autorzy :: Torre, W. van der
Koopmans, L.
Bouwens, L.
Bergh, R. van den
Wiezer, N.
Weyers, M.; Pokaż więcej
Temat :: Werknemers
Brunout
Interventies
Literatuuronderzoek
Opis pliku :: application/pdf
Dostępność :: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b18019449c90edce0e07d2e1675bda72
http://resolver.tudelft.nl/uuid:97055ebb-6acb-49e6-a9a7-0edd43daff8d

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Impact of open-core threading dislocations on the performance of AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors.
Autorzy :: Walde, S.
Brendel, M.
Zeimer, U.
Brunner, F.
Hagedorn, S.
Weyers, M.; Pokaż więcej
Temat :: ELECTRIC properties of aluminum gallium nitride
DISLOCATIONS in crystals
QUANTUM efficiency
METAL-semiconductor-metal structures
PHOTODETECTORS
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 4p, 2 Diagrams, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Double-heterostructure ridge-waveguide GaAs/AlGaAs phase modulator for 780 nm lasers
Autorzy :: Arar, B.
Wenzel, H.
Güther, R.
Brox, O.
Maaßdorf, A.
Wicht, A.
Erbert, G.
Weyers, M.
Tränkle, G.
Fernando, H. N. J.
Peters, A.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics B: Lasers and Optics. July 2014 116(1):175-181
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Scanning electron microscope as a flexible tool for investigating the properties of UV-emitting nitride semiconductor thin films
Autorzy :: Trager-Cowan, C.
Alasmari, A.
Avis, W.
Bruckbauer, J.
Edwards, P. R.
Hourahine, B.
Kraeusel, S.
Kusch, G.
Johnston, R.
Naresh-Kumar, G.
Martin, R. W.
Nouf-Allehiani, M.
Pascal, E.
Spasevski, L.
Thomson, D.
Vespucci, S.
Parbrook, P. J.
Smith, M. D.
Enslin, J.
Mehnke, F.
Kneissl, M.
Kuhn, C.
Wernicke, T.
Hagedorn, S.
Knauer, A.
Kueller, V.
Walde, S.
Weyers, M.
Coulon, P.-M.
Shields, P. A.
Zhang, Y.
Jiu, L.
Gong, Y.
Smith, R. M.
Wang, T.
Winkelmann, A.; Pokaż więcej
Temat :: Atomic and Molecular Physics, and Optics
Electronic, Optical and Magnetic Materials
X-ray spectroscopy
Semiconductor
business.industry
business
Electron backscatter diffraction
Light emission
Materials science
Scanning electron microscope
Electron microscope
law.invention
law
Cathodoluminescence
Optoelectronics
Doping
Electron microscopy
UV-emitting nitride
Condensed Matter::Materials Science
Physics::Optics
Źródło :: Photonics Research
Crossref
Opis pliku :: application/pdf
Dostępność :: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2de63e87decea2c17bba84400892fe5d
https://eprints.whiterose.ac.uk/153548/1/Carol-photonic research.pdf

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: High power broad-area lasers with buried implantation for current confinement
Autorzy :: Della Casa, P
Martin, D
Maaßdorf, A
Adam, T
Thies, A
Beier, M
Häusler, K
Knigge, A
Weyers, M; Pokaż więcej
Temat :: Materials Chemistry
Electrical and Electronic Engineering
Condensed Matter Physics
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Metalorganic vapour phase epitaxy
Materials science
Optoelectronics
business.industry
business
Laser
law.invention
law
Źródło :: Crossref
Dostępność :: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::52f25e44a5e7a9a0af52eeed6b2df79f

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Extra half-plane shortening of dislocations as an origin of tensile strain in Si-doped (Al)GaN
Autorzy :: Weinrich, J.
Mogilatenko, A.
Brunner, F.
Koch, C. T.
Weyers, M.; Pokaż więcej
Temat :: General Physics and Astronomy
Tensile strain
Mixed type
Condensed matter physics
Materials science
Scanning transmission electron microscopy
Doping
Dislocation
Chemical vapor deposition
Threading dislocations
Si doped
Źródło :: Crossref
Dostępność :: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6a53a453c2c955f3f47c77972400e4cf

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Weyers, M."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język