Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Weyers, M."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Extra half-plane shortening of dislocations as an origin of tensile strain in Si-doped (Al)GaN.
Autorzy :
Weinrich, J.
Mogilatenko, A.
Brunner, F.
Koch, C. T.
Weyers, M.
Pokaż więcej
Temat :
SCANNING transmission electron microscopy
CHEMICAL vapor deposition
DISLOCATION density
EDIBLE fats & oils
CURVATURE measurements
INDIUM gallium nitride
GALLIUM nitride
Źródło :
Journal of Applied Physics; 8/28/2019, Vol. 126 Issue 8, pN.PAG-N.PAG, 7p, 5 Diagrams, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Localization of current-induced degradation effects in (InAlGa)N-based UV-B LEDs.
Autorzy :
Ruschel, J.
Glaab, J.
Brendel, M.
Rass, J.
Stölmacker, C.
Lobo-Ploch, N.
Kolbe, T.
Wernicke, T.
Mehnke, F.
Enslin, J.
Einfeldt, S.
Weyers, M.
Kneissl, M.
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
ELECTRO-optical effects
MAGNETIC control
ELECTROLUMINESCENT devices
ELECTRIC field effects
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 8, pN.PAG-N.PAG, 7p, 1 Diagram, 11 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Impact of open-core threading dislocations on the performance of AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors.
Autorzy :
Walde, S.
Brendel, M.
Zeimer, U.
Brunner, F.
Hagedorn, S.
Weyers, M.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRIC properties of aluminum gallium nitride
DISLOCATIONS in crystals
QUANTUM efficiency
METAL-semiconductor-metal structures
PHOTODETECTORS
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 4p, 2 Diagrams, 3 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies