Autor: "Weyers, Markus" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: In situ control of indium incorporation in (AlGa)1−xInxP layers
Autorzy:: Brückner, Sebastian
Maaßdorf, Andre
Weyers, Markus; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 July 2022 590

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: High-quality AlGaN epitaxy on lattice-engineerable AlN template for high-power UVC light-emitting diodes
Autorzy:: Walde, Sebastian; Pokaż więcej
Źródło:: In Acta Materialia March 2022 226

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Skin tolerant inactivation of multiresistant pathogens using far-UVC LEDs
Autorzy:: Glaab, Johannes
Lobo-Ploch, Neysha
Cho, Hyun Kyong
Filler, Thomas
Gundlach, Heiko
Guttmann, Martin
Hagedorn, Sylvia
Lohan, Silke B.
Mehnke, FrankAff2, Aff6
Schleusener, Johannes
Sicher, Claudia
Sulmoni, Luca
Wernicke, Tim
Wittenbecher, Lucas
Woggon, Ulrike
Zwicker, Paula
Kramer, Axel
Meinke, Martina C.
Kneissl, MichaelAff1, Aff2
Weyers, Markus
Winterwerber, Ulrike
Einfeldt, Sven; Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 11(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Influence of substrate off-cut angle on the performance of 310 nm light emitting diodes
Autorzy:: Kolbe, Tim; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 November 2019 526

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Influence of quartz on silicon incorporation in HVPE grown AlN
Autorzy:: Fleischmann, Simon; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 1 February 2019 507:295-298

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: MOVPE growth of violet GaN LEDs on β-Ga2O3 substrates
Autorzy:: Li, Ding; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 November 2017 478:212-215

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Metamorphic Al0.5Ga0.5N:Si on AlN/sapphire for the growth of UVB LEDs
Autorzy:: Enslin, Johannes; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 April 2017 464:185-189

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Displacement Talbot lithography for nano-engineering of III-nitride materials
Autorzy:: Coulon, Pierre-Marie
Damilano, Benjamin
Alloing, Blandine
Chausse, Pierre
Walde, Sebastian
Enslin, Johannes
Armstrong, Robert
Vézian, Stéphane
Hagedorn, Sylvia
Wernicke, Tim
Massies, Jean
Zúñiga‐Pérez, Jesus
Weyers, Markus
Kneissl, MichaelAff3, Aff4
Shields, Philip A.; Pokaż więcej
Źródło:: Microsystems & Nanoengineering. 5(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa
Autorzy:: Della Casa, Pietro
Maaßdorf, Andre
Zeimer, Ute
Weyers, Markus; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 January 2016 434:116-122

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Analysis of HVPE grown AlGaN layers on honeycomb patterned sapphire
Autorzy:: Fleischmann, Simon; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 March 2015 414:32-37

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Defect analysis in AlGaN layers on AlN templates obtained by epitaxial lateral overgrowth
Autorzy:: Mogilatenko, Anna; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 September 2014 402:222-229

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Phase control of semi-polar [formula omitted] and non-polar [formula omitted] GaN on cone shaped r-plane patterned sapphire substrates
Autorzy:: Wang, Mei-Tan; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 May 2013 371:11-16

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Weyers, Markus"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język