Autor: "Williams, J. S." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: A critical evaluation of Ag- and Ti-hyperdoped Si for Si-based infrared light detection.
Autorzy :: Lim, S. Q.
Akey, A. J.
Napolitani, E.
Chow, P. K.
Warrender, J. M.
Williams, J. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2/14/2021, Vol. 129 Issue 6, p1-12, 12p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Application of the James criterion to explosives with thick cover plates.
Autorzy :: Williams, J. S.
Howard, W. S.
Hawkins, S. P.; Pokaż więcej
Temat :: DETONATION waves
EXPLOSIVES
ONE-dimensional flow
STRENGTH of materials
IRON & steel plates
FORECASTING
Źródło :: Journal of Applied Physics; 11/7/2020, Vol. 128 Issue 17, p1-16, 16p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Process-induced defects in Au-hyperdoped Si photodiodes.
Autorzy :: Lim, S. Q.
Lew, C. T.-K.
Chow, P. K.
Warrender, J. M.
Williams, J. S.
Johnson, B. C.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
PULSED lasers
ION implantation
VALENCE bands
PHOTODIODES
Źródło :: Journal of Applied Physics; 12/14/2019, Vol. 126 Issue 22, p1-9, 9p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Thermal evolution of the indentation-induced phases of silicon.
Autorzy :: Wong, S.
Johnson, B. C.
Haberl, B.
Mujica, A.
McCallum, J. C.
Williams, J. S.
Bradby, J. E.; Pokaż więcej
Temat :: LASER annealing
THERMAL stability
ELECTRON diffraction
ANNEALING of metals
SILICON
Źródło :: Journal of Applied Physics; 9/14/2019, Vol. 126 Issue 10, pN.PAG-N.PAG, 9p, 2 Diagrams, 2 Charts, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Phase Transformation Dependence on Initial Plastic Deformation Mode in Si via Nanoindentation
Autorzy :: Wong, S.
Haberl, B.
Williams, J. S.
Bradby, J. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Experimental Mechanics: An International Journal. September 2017 57(7):1037-1043
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Erratum: "Application of the James criterion to explosives with thick cover plates" [J. Appl. Phys. 128, 175103 (2020)].
Autorzy :: Williams, J. S.
Howard, W. S.
Hawkins, S. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics; 11/28/2020, Vol. 128 Issue 20, p1-1, 1p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: The renin–angiotensin–aldosterone system and calcium-regulatory hormones
Autorzy :: Vaidya, AAff1, Aff2, Aff3
Brown, J M
Williams, J SAff2, Aff3; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Human Hypertension. 29(9):515-521
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Crystal structure of laser-induced subsurface modifications in Si
Autorzy :: Verburg, P. C.
Smillie, L. A.
Römer, G. R. B. E.
Haberl, B.
Bradby, J. E.
Williams, J. S.
Huis in ’t Veld, A. J.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing. August 2015 120(2):683-691
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Thermal stability of simple tetragonal and hexagonal diamond germanium.
Autorzy :: Huston, L. Q.
Johnson, B. C.
Haberl, B.
Wong, S.
Williams, J. S.
Bradby, J. E.; Pokaż więcej
Temat :: GERMANIUM
ELECTRIC properties of germanium
OPTICAL properties of germanium
THERMAL stability
SEMIMETALS
Źródło :: Journal of Applied Physics; 11/7/2017, Vol. 122 Issue 17, p175108-1-175108-7, 7p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: The influence of capping layers on pore formation in Ge during ion implantation.
Autorzy :: Alkhaldi, H. S.
Tran, Tuan T.
Kremer, F.
Williams, J. S.; Pokaż więcej
Temat :: GERMANIUM
GROUP 14 elements
SEMIMETALS
STRAINED germanium
ION implantation
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 21, p1-10, 10p, 8 Diagrams, 1 Chart, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Synthesis of Ge1-xSnx alloys by ion implantation and pulsed laser melting: Towards a group IV direct bandgap material.
Autorzy :: Tran, Tuan T.
Pastor, David
Gandhi, Hemi H.
Smillie, Lachlan A.
Akey, Austin J.
Aziz, Michael J.
Williams, J. S.; Pokaż więcej
Temat :: GERMANIUM compounds synthesis
ENERGY gaps (Physics)
MOLECULAR beam epitaxy
ION implantation
PULSED lasers
Źródło :: Journal of Applied Physics; 5/14/2016, Vol. 119 Issue 18, p183102-1-183102-8, 8p, 1 Diagram, 2 Charts, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Williams, J. S."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język