- Tytuł:
- Degradation Mechanisms of Gate Leakage in GaN-Based HEMTs at Low Dose Rate Irradiation
- Autorzy:
- Temat:
-
p-GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)
low dose rate irradiation
gate leakage
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971 - Źródło:
-
IEEE Access, Vol 12, Pp 35410-35416 (2024) - Opis pliku:
- electronic resource
- Relacje:
-
https://ieeexplore.
ieee .org/document/10443472/; https://doaj.org/toc/2169-3536 - Dostęp URL:
- https://doaj.org/article/5e137cc1f052421786d1919f9d516eda  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe