Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Xu, Lixuan"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    ARPES investigation of the electronic structure and its evolution in magnetic topological insulator MnBi2+2nTe4+3n family.
    Autorzy:
    Xu, Runzhe
    Xu, Lixuan
    Liu, Zhongkai
    Yang, Lexian
    Chen, Yulin
    Pokaż więcej
    Temat:
    MAGNETIC insulators
    TOPOLOGICAL insulators
    QUANTUM Hall effect
    ANOMALOUS Hall effect
    METAL-insulator transitions
    LANDAU levels
    BAND gaps
    ELECTRONIC structure
    Źródło:
    National Science Review; Feb2024, Vol. 11 Issue 2, p1-13, 13p
    Terminy geograficzne:
    SCHWABISCH Hall (Germany)
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Topological electronic structure and spin texture of quasi-one-dimensional higher-order topological insulator Bi4Br4.
    Autorzy:
    Zhao, Wenxuan
    Yang, Ming
    Xu, Runzhe
    Du, Xian
    Li, Yidian
    Zhai, Kaiyi
    Peng, Cheng
    Pei, Ding
    Gao, Han
    Li, Yiwei
    Xu, Lixuan
    Han, Junfeng
    Huang, Yuan
    Liu, Zhongkai
    Yao, Yugui
    Zhuang, Jincheng
    Du, Yi
    Zhou, Jinjian
    Chen, Yulin
    Yang, Lexian
    Pokaż więcej
    Temat:
    TOPOLOGICAL insulators
    ELECTRONIC structure
    PHOTOELECTRON spectroscopy
    AB-initio calculations
    CONDUCTION bands
    Źródło:
    Nature Communications; 12/7/2023, Vol. 14 Issue 1, p1-7, 7p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Record-high mobility and extreme magnetoresistance on kagome-lattice in compensated semimetal Ni3In2S2.
    Autorzy:
    Fang, Hongwei
    Lyu, Meng
    Su, Hao
    Yuan, Jian
    Li, Yiwei
    Xu, Lixuan
    Liu, Shuai
    Wei, Liyang
    Liu, Xinqi
    Yang, Haifeng
    Yao, Qi
    Wang, Meixiao
    Guo, Yanfeng
    Shi, Wujun
    Chen, Yulin
    Liu, Enke
    Liu, Zhongkai
    Pokaż więcej
    Alternatywny tytuł:
    Kagome晶格补偿型半金属Ni3In2S2创纪录的高迁移率和极大磁电阻现象. (Chinese)
    Źródło:
    Science China Materials; May2023, Vol. 66 Issue 5, p2032-2038, 7p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Observation of Coexisting Dirac Bands and Moiré Flat Bands in Magic‐Angle Twisted Trilayer Graphene.
    Autorzy:
    Li, Yiwei
    Zhang, Shihao
    Chen, Fanqiang
    Wei, Liyang
    Zhang, Zonglin
    Xiao, Hanbo
    Gao, Han
    Chen, Moyu
    Liang, Shijun
    Pei, Ding
    Xu, Lixuan
    Watanabe, Kenji
    Taniguchi, Takashi
    Yang, Lexian
    Miao, Feng
    Liu, Jianpeng
    Cheng, Bin
    Wang, Meixiao
    Chen, Yulin
    Liu, Zhongkai
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Advanced Materials; 10/20/2022, Vol. 34 Issue 42, p1-9, 9p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Persistent surface states with diminishing gap in MnBi2Te4/Bi2Te3 superlattice antiferromagnetic topological insulator.
    Autorzy:
    Xu, Lixuan
    Mao, Yuanhao
    Wang, Hongyuan
    Li, Jiaheng
    Chen, Yujie
    Xia, Yunyouyou
    Li, Yiwei
    Pei, Ding
    Zhang, Jing
    Zheng, Huijun
    Huang, Kui
    Zhang, Chaofan
    Cui, Shengtao
    Liang, Aiji
    Xia, Wei
    Su, Hao
    Jung, Sungwon
    Cacho, Cephise
    Wang, Meixiao
    Li, Gang
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Science Bulletin; Dec2020, Vol. 65 Issue 24, p2086-2093, 8p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies