- Tytuł:
- Performance improvement of CMOS device utilizing poly-Si/HfSiON gate stack and its reliability concern for 65 nm technology and beyond
- Autorzy:
- Źródło:
- In Materials Science in Semiconductor Processing 2006 9(6):860-869
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.