- Tytuł:
- Hydrogen-terminated diamond field-effect transistor with a bilayer dielectric of HfSiON/Al2O3
- Autorzy:
- Temat:
-
Physics
QC1-999 - Źródło:
-
AIP Advances , Vol 10, Iss 3, Pp 035327-035327-6 (2020) - Opis pliku:
- electronic resource
- Relacje:
- https://doaj.org/toc/2158-3226
- Dostęp URL:
- https://doaj.org/article/6cc08cadadf545eeaef8413f627ae497  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe