- Tytuł:
- Influence of Net Doping Concentration on Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates
- Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Electronic Materials. :1-8
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.