- Tytuł:
- Mg-doped beta-Ga2O3 films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition system for metal-semiconductor-metal ultraviolet C photodetectors
- Autorzy:
- Źródło:
- In Materials Science in Semiconductor Processing May 2022 142
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.