Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Yin, Haibo"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes.
    Autorzy:
    Kang, He
    Wang, Quan
    Xiao, Hongling
    Wang, Cuimei
    Jiang, Lijuan
    Feng, Chun
    Chen, Hong
    Yin, Haibo
    Qu, Shenqi
    Peng, Enchao
    Gong, Jiamin
    Wang, Xiaoliang
    Li, Baiquan
    Wang, Zhanguo
    Hou, Xun
    Pokaż więcej
    Temat:
    SCHOTTKY barrier diodes
    GALLIUM nitride
    SEMICONDUCTORS
    WIDE gap semiconductors
    ALUMINUM compounds
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; May2015, Vol. 212 Issue 5, p1158-1161, 4p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Insight into the suppression mechanism of bulk traps in Al2O3 gate dielectric and its effect on threshold voltage instability in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors.
    Autorzy:
    Deng, Kexin (AUTHOR)
    Huang, Sen (AUTHOR)
    Wang, Xinhua (AUTHOR)
    Jiang, Qimeng (AUTHOR)
    Yin, Haibo (AUTHOR)
    Fan, Jie (AUTHOR)
    Jing, Guanjun (AUTHOR)
    Wei, Ke (AUTHOR)
    Zheng, Yingkui (AUTHOR)
    Shi, Jingyuan (AUTHOR)
    Liu, Xinyu (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Applied Surface Science. Nov2023, Vol. 638, pN.PAG-N.PAG. 1p.
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures.
    Autorzy:
    Luan, Tiantian (AUTHOR)
    Jiang, Qimeng (AUTHOR)
    Huang, Sen (AUTHOR)
    Wang, Xinhua (AUTHOR)
    Jin, Hao (AUTHOR)
    Guo, Fuqiang (AUTHOR)
    Yao, Yixu (AUTHOR)
    Fan, Jie (AUTHOR)
    Yin, Haibo (AUTHOR)
    Wei, Ke (AUTHOR)
    Li, Yankui (AUTHOR)
    Jiang, Haojie (AUTHOR)
    Li, Junfeng (AUTHOR)
    Liu, Xinyu (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Microelectronic Engineering. Jan2023, Vol. 269, pN.PAG-N.PAG. 1p.
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Effective suppression of deep interface states and dielectric trapping in SiNx/GaN metal-insulator-semiconductor structures by a SiOxNy interfacial layer grown by plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Autorzy:
    Deng, Kexin (AUTHOR)
    Wang, Xinhua (AUTHOR)
    Huang, Sen (AUTHOR)
    Jiang, Qimeng (AUTHOR)
    Yin, Haibo (AUTHOR)
    Fan, Jie (AUTHOR)
    Jing, Guanjun (AUTHOR)
    Wang, Yingjie (AUTHOR)
    Luan, Tiantian (AUTHOR)
    Wei, Ke (AUTHOR)
    Zheng, Yingkui (AUTHOR)
    Shi, Jingyuan (AUTHOR)
    Liu, Xinyu (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Applied Surface Science. Jan2023, Vol. 607, pN.PAG-N.PAG. 1p.
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies