- Tytuł:
- Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers
- Autorzy:
- Źródło:
- In Superlattices and Microstructures November 2016 99:197-201
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.